[发明专利]一种用于红外焦平面器件的复合铟柱及制备方法有效
| 申请号： | 200710045148.7 | 申请日： | 2007-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101118886A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 朱建妹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 红外 平面 器件 复合 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于红外焦平面器件的复合铟柱的制备方法，其特征在于具体步骤如下：
§a.在芯片(1)上涂布光刻胶层(2)，其厚度由铟柱体所需要的高度而定；
§b.在光刻胶层上，在芯片的信号引入引出点位置刻出淀积复合铟柱的阵列孔(3)，孔径由所需要铟柱体的直经而定，孔的深度为光刻胶层的厚度；
§c.然后热蒸发淀积黄金，在孔内壁形成厚度为黄金层(4)；
§d.然后再真空蒸发淀积铟层(5)，部分铟自然填入由黄金层为内壁的孔内，由于填充的是热铟源，对黄金壁产生合金作用，从而形成由黄金层包覆，内填满铟构成的复合铟柱(8)；
§e.最后用压敏粘结剂黏附剥离多余铟层，在芯片上形成复合铟柱阵列。
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