[发明专利]晶圆缺陷的改善方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域的研磨工艺，具体地说，涉及一种在研磨工艺中减少晶圆缺陷的改善方法。

背景技术

随着IC元件逐渐采用小尺寸、高聚集化的多层立体布线后，光刻工艺中对解析度和焦点深度的限制越来越高，因此对晶圆的表面平整度有较高的要求，特别当需要三层或四层以上的金属层时，对平坦化技术的需求更显得重要。化学机械研磨(Chemical Mechanical Polish，以下简称“CMP”)是实现晶圆平坦化的主要技术。

在晶圆制造过程CMP步骤中，金属导线CMP步骤是一道重要工序。形成晶圆电路图形的金属导线可以是铜、铝或者是铜铝合金。金属导线的缺陷越小，晶圆电路导通性能就越好，所以金属导线CMP工艺需要严格控制。

然而，采用现有技术和设备，在晶圆进行铜CMP步骤后检测发现，铜的表面有很多凹形缺陷。这是因为铜产生了氧化反应腐蚀造成的。如果在进行铜CMP步骤之前在铜的表面滴一滴去离子水，去离子水在蒸发的过程中，空气中的氧气会在这滴去离子水周围与铜发生了氧化反应。这说明，如果在进行铜CMP之前，清洗晶圆的过程中，有少量去离子水滴在铜的表面，就会出现上述的凹形缺陷，从而影响晶圆的成品率。

因此，需要提供一种改善方法以克服或者至少减少晶圆缺陷。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种可减少晶圆在金属导线CMP步骤后产生缺陷的改善方法。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种新的晶圆缺陷的改善方法。该改善方法是在晶圆进行金属导线化学机械研磨步骤之前，将金属导线整个表面保持湿润，使金属导线和空气隔离。

与现有技术相比，本发明通过在进行金属线CMP之前保持晶圆的金属导线的整个保持湿润，使金属导线和空气隔离，避免产生凹形缺陷，起到了提高晶圆成品率的有益效果。

具体实施方式

以下对本发明一实施例进行详细描述，以期进一步理解本发明的目的、具体结构特征和优点。

本发明提供了一种晶圆缺陷的改善方法，用于改善在晶圆的金属导线CMP制程中产生凹陷缺陷的状况。其中本实施例中的金属导线是指铜。

本发明的改善方法是在进行铜CMP之前，将晶圆的被研磨表面，尤其是铜的表面要完全保持湿润，将铜与空气隔离。其中保持晶圆被研磨表面保持湿润的方法有很多种，如可以在进行铜CMP之前，将晶圆浸在去离子水中，也可以定时在晶圆的被研磨表面喷洒去离子水，来保证铜与空气隔离。

采用本发明的改善方法，可以杜绝金属导线与空气中的氧气接触，避免了发生氧化反应，从而大大减少了金属导线表面的凹形缺陷，提高晶圆成品率。

可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据上述揭示内容进行简单的修改、变换，如采用保持晶圆被研磨表面湿润的其他方法，但均属于权利要求书的保护范围。