[发明专利]实时探测单电子自旋态的方法有效
申请号: | 200710045701.7 | 申请日: | 2007-09-07 |
公开(公告)号: | CN101118607A | 公开(公告)日: | 2008-02-06 |
发明(设计)人: | 伍滨和;曹俊诚 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | G06N1/00 | 分类号: | G06N1/00 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 潘振甦 |
地址: | 200050*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 实时 探测 电子 自旋 方法 | ||
1.一种实时探测单电子自旋态的方法,其特征在于通过设计的单电子探测器并调节其噪声水平,从而分辨出单电子的自旋状态;具体是使用两个不同探测灵敏度的QPC探测器进行,QPC电荷探测器给出探测间隔内是否有一个电子位于QD,而通过QPC自旋探测器反映出在探测间隔内是否有自旋向下的电子通过QD,通过比较两个探测的输出结果就可得到时间分辨的QD自旋态信息;所述的QPC探测器是一个处于中间的QD与两个弹道电极相连,QD的能级高于平衡时电极的Fermi能级;所述的QPC表示量子点接触,QD表示探测量子点。
2.按权利要求1所述的实时探测单电子自旋态的方法,其特征在于单电子自旋态探测的公式为式中τd为电子在QD上的留滞时间,τc为临界时间,Td为QPC的传输几率,e是电子电荷,h为Planck常数,V为外加在QPC上的电压,2eV/h为电子进入QPC的速率,τ为测量间隔时间,ΔTd表示测量间隔τ内有一个电子进入QD时,QPC的传输几率就会发生改变。
3.按权利要求2所述的实时探测单电子自旋态的方法,其特征在于入射电子的留滞时间为式中ρσ(E)是自旋为σ的局域能态密度,h为planck常数。
4.按权利要求3所述的实时探测单电子自旋态的方法,其特征在于QD能级的能态密度为Lorentzian线形函数。
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