[发明专利]一种可改善闪存性能的第一金属间介质及其制作方法有效
| 申请号： | 200710045713.X | 申请日： | 2007-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101383338A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 张弓;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;H01L21/314 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 闪存 性能 第一 金属 介质 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种可改善闪存性能的第一金属间介质，其制作在已制成金属前介质和金属插塞的闪存上，其特征在于，该第一金属间介质从下至上依次包括一氮化硅层、一未掺杂的硅玻璃层和一氮氧化硅层，其中，该氮化硅层的厚度范围为400至600埃，该未掺杂的硅玻璃层的厚度范围为2500至3000埃，该氮氧化硅层的厚度范围为200至500埃。
2.一种权利要求1所述的可改善闪存性能的第一金属间介质的制作方法，其包括步骤(1)在该金属前介质上制作氮化硅层；其特征在于，该方法还包括以下步骤：(2)在该氮化硅层上制作未掺杂的硅玻璃层；(3)在该未掺杂的硅玻璃层上制作氮氧化硅层。
3.如权利要求2所述的可改善闪存性能的第一金属间介质的制作方法，其特征在于，在步骤(1)中，通过等离子体增强化学气相沉积制作氮化硅层。
4.如权利要求2所述的可改善闪存性能的第一金属间介质的制作方法，其特征在于，在步骤(2)中，通过等离子体化学气相沉积制作未掺杂的硅玻璃层。
5.如权利要求2所述的可改善闪存性能的第一金属间介质的制作方法，其特征在于，在步骤(3)中，通过常压化学气相沉积法制作氮氧化硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710045713.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：易扭转儿童车的易扭转保护装置
- 下一篇：单踏板可转向的两轮电动平衡车
