[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括

多条沿第一方向延伸的栅极扫描线；

多条沿第二方向延伸的数据线，栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域；

设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极；

其特征在于所述数据线与栅极扫描线形成在同一层上，且所述数据线被栅极扫描线分隔开为多段或所述栅极扫描线被数据线分隔开为多段，分隔开的数据线或栅极扫描线通过其两端的接触孔与形成在像素电极层的接触电极进行电气连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于所述薄膜晶体管的源极、漏极形成在N+非晶硅欧姆接触层上。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于还进一步包括与所述栅极扫描线平行的公共电极线。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于所述的数据线基于公共电极线分隔开来，被公共电极线分隔开的数据线通过其两端的接触孔及形成在像素电极层的接触电极进行电气连接。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于所述的公共电极线基于数据线分隔开来，被数据线分隔开的公共电极线通过其两端的接触孔及形成在像素电极层的接触电极进行电气连接。

6.根据权利要求1、3、4或5所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于所述的栅极扫描线、数据线、栅极、公共电极线由相同的导电材料形成。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于所述的像素电极、接触电极由相同的导电材料形成。

8.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括如下步骤：

形成一第一金属层在一透明基板上；

图案化所述第一金属层，形成一栅极及与栅极电气连接的栅极扫描线、数据线，所述数据线被栅极扫描线分隔开为多段或所述栅极扫描线被数据线分隔开为多段；

在基板上形成栅绝缘层、半导体层、对应于栅极的有源区和沟道；

在所述半导体层上形成钝化膜、在钝化膜上刻蚀出第一、第二、第三接触孔：第一接触孔形成在分隔开的数据线或栅极线的端部区域；第二接触孔形成在源区和漏区上；第三接触孔形成在栅极扫描线和数据线的端子部；

最后在钝化膜上形成像素电极和跨线接触电极。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于在图案化第一金属层时还形成有公共电极线，所述数据线基于公共电极线分隔开来，被公共电极线分隔开的数据线两端对应的钝化膜层上刻蚀有第一接触孔。

10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于在图案化第一金属层时还形成有公共电极线，所述公共电极线基于数据线分隔开来，被数据线分隔开的公共电极线两端对应的钝化膜层上刻蚀有第一接触孔。