[发明专利]一种硫卤微晶玻璃红外光学元件的热压成型制备方法无效
| 申请号： | 200710045988.3 | 申请日： | 2007-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN101148319A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 杨志勇;陈玮;罗澜;唐高 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C03C3/32 | 分类号： | C03C3/32;C03C10/02;C03B11/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硫卤微晶 玻璃 红外 光学 元件 热压 成型 制备 方法 | ||
1.一种硫卤微晶玻璃红外光学元件的热压成型方法，其特征在于制备方法包括A、B两部分；
A硒基硫卤玻璃的制备
(1)将Ge、Ga、Se元素和CsI按(100-x-y-z)Ge-xGa-ySe-zCsI，其中，5≤x≤30，45≤y≤65，1≤z≤20的配比装入经脱羟基预处理的石英安瓿中；
(2)抽真空至石英安瓿内真空度≤10-2Pa，火焰封接；
(3)将步骤(2)的石英安瓿放入摇摆炉中，缓慢升至850-900℃保温后取出，置于室温水中淬冷；
(4)然后在280-340℃保温，退火处理，制得硒基硫卤玻璃；
B硒基硫卤微晶玻璃红处光学元件的热压成型制备
将步骤A制得的硫卤玻璃片，制作成需要尺寸的玻璃片，置于模具中，施加1～4×104Pa压力，缓慢加热至高于玻璃软化温度10-30℃进行热压成型。
2.按权利要求1所述的硫卤微晶玻璃红外光学元件的热压成型方法，其特征在于步骤A中(2)封接采用氧气-煤气火焰封接。
3.按权利要求1所述的硫卤微晶玻璃红外光学元件的热压成型方法，其特征在于封接后的石英安瓿放入摇摆炉中缓慢升温的速率为0.5～2℃/min。
4.按权利要求1所述的硫卤微晶玻璃红外光学元件的热压成型方法，其特征在于步骤A中(4)的退火时间为2-4h。
5.按权利要求1所述的硫卤微晶玻璃红外光学元件的热压成型方法，其特征在于步骤B缓慢加热升温速率为0.5～4℃/min。
6.按权利要求1所述的硫卤微晶玻璃红外光学元件的热压成型方法，其特征在于步骤B缓慢加热至高于玻璃软化温度10-30℃的温度为380-430℃。
7.按权利要求1-6中任一项中的所述的硫卤微晶玻璃红外光学元件的热压成型方法，其特征在于热压成型制备的玻璃体内形成大量尺寸介于200-250nm的微晶，且均匀分布在玻璃体内。
8.按权利要求1-6中任一项中的所述的硫卤微晶玻璃红外光学元件的热压成型方法，其特征在于热压成型制备的玻璃在8-14μm范围具有的透光率与未热压成型的硒基硫卤玻璃相当。
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