[发明专利]一种8~14μm透射硫卤微晶玻璃、制作方法及应用无效
申请号: | 200710045990.0 | 申请日: | 2007-09-14 |
公开(公告)号: | CN101148320A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
发明(设计)人: | 杨志勇;陈玮;罗澜;唐高 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C03C3/32 | 分类号: | C03C3/32;C03C10/02;C03B32/02 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 潘振甦 |
地址: | 200050上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 14 透射 硫卤微晶 玻璃 制作方法 应用 | ||
1.一种硫卤微晶玻璃,其特征在于所述的硫卤微晶玻璃的化学组成为(100-x-y-z)Ge-xGa-ySe-zCsI,式中,5≤x≤30,45≤y≤65,1≤z≤20。
2.按权利要求1所述的硫卤微晶玻璃,其特征在于所述的硫卤微晶玻璃的化学组成为22Ge-12.5Ga-62.5Se-3CsI。
3.按权利要求1所述的硫卤微晶玻璃,其特征在于所述的硫卤微晶玻璃的化学组成为13.3Ge-20Ga-56.7Se-10CsI。
4.按权利要求1所述的硫卤微晶玻璃,其特征在于所述的硫卤微晶玻璃的化学组成为15.4Ge-15.4Ga-53.8Se-15.4CsI。
5.按权利要求1-4所述的硫卤微晶玻璃,其特征在于所述的硫卤微晶玻璃体内的微晶尺寸为<200nm,且分布均匀。
6.制作如权利要求1-4中任一项所述的硫卤微晶玻璃,其特征在于制作步骤是:
(1)将纯度≥99.999%的Ge、Ga、Se元素和纯度≥99.9%的CsI装入经脱羟基预处理的石英安瓿中;
(2)抽真空至安瓿内的真空度≤10-2Pa,用氧气-煤气火焰封接;
(3)将封接后的盛有混合料的石英安瓿放入摇摆炉中,缓慢升温至850~900℃,保温10~15h后取出;
(4)置于室温水中淬冷,然后在280~340℃保温2h进行退火处理;
(5)退火后热处理的温度为300-420℃,且在核化温度和晶化温度二个温度点上各保温3-240分钟。
7.按权利要求6所述的硫卤微晶玻璃的制作方法,其特征在于升温速率为0.5-2℃/min。
8.按权利要求1-4中的任意一项所述的硫卤微晶玻璃的应用,其特征在于所述的硫卤微晶玻璃在8-14μm具有良好的透光性,可应用于红外传输领域的热成像系统。
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