[发明专利]薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，它包括以下步骤:

步骤1，在洁净玻璃基板上沉积栅极导线层，并在栅极导线层上涂布第一层光刻胶，利用第一掩模版进行曝光、显影及蚀刻形成栅极配线及栅电极；

步骤2，在完成步骤1的基板上依次沉积第一绝缘层、有源层、有源掺杂层、数据导线层、第二绝缘层，然后涂布第二层光刻胶；采用第二块掩模版，该掩模版具有5种曝光等级，经显影后形成5种厚度的光刻胶，通过蚀刻工艺在栅极导线层上的需形成接触孔部分处将第二绝缘层，数据导线层、有源层进行蚀刻；完成蚀刻后，对其它区域进行第一次灰化将其它区域上的光刻胶去除；接下来，将其它区域上的第二绝缘层、数据导线层蚀刻掉；利用栅极区域和其它区域中保留下来的有源层作为掩模对栅极导电层上接触孔部分的第一绝缘层进行蚀刻；对数据导线区域进行第二次灰化过程，蚀刻第二绝缘层形成数据导线层上的接触孔；进行第三次灰化去除其他区域中的光刻胶，保留晶体管区域部分源漏及导线走线部分的光刻胶；

步骤3，在完成步骤2的基板上沉积像素电极层，并在像素电极层上涂布第三层光刻胶，利用第三块掩模版进行第三次曝光、显影将基板上特定区域的光刻胶去除，显影后对晶体管区域进行蚀刻形成像素电极层；在未进行光刻胶剥离的条件下进行沟道蚀刻，将晶体管区域中间第二绝缘层保留形成晶体管；再通过第四次灰化过程将剩余的光刻胶去除。

2.如权利要求1所述薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于：所述栅电导线层所用材料为AlNd，AI，Cu，MO，MoW或Cr的单层膜，或者为AlNd，AI，Cu，MO，MoW或Cr之一或任意组合所构成的复合膜。

3.如权利要求1所述薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于：所述第一绝缘层和第二绝缘层为SiO2，SiNx或SiOxNy材料之一或任意组合所构成的复合膜。

4.如权利要求1所述薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于：所述数据导线层为Mo，MoW或Cr的的单层膜，或者为Mo，MoW或Cr之一或任意组合所构成的复合膜。

5.如权利要求1所述薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于：

所述步骤2中第一绝缘膜、有源层、有源掺杂层、数据导线层、第二绝缘层连续沉积。

6.如权利要求1所述薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于：

所述栅电极层接触孔蚀刻过程中保留第一绝缘层。

7.如权利要求1所述薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于：所述灰化过程按照曝光级别进行。

8.如权利要求1所述薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于：所述像素电极层在保留晶体管区域光刻胶的状态下制作完成的。

9.如权利要求1所述薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于：所述晶体管区域上的光刻胶层与像素电极层光刻胶同时进行剥离。