[发明专利]掩膜板及其制造方法有效
| 申请号： | 200710046209.1 | 申请日： | 2007-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101393387A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 吴汉明;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F1/08;G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掩膜板 及其 制造 方法 | ||
1.一种掩膜板，包括透明衬底和遮光图形，所述遮光图形由复数个遮光线条组成，所述遮光线条具有顶面和底面，所述底面为遮光线条与所述透明衬底的接触面，其特征在于：所述遮光线条的顶面的面积大于底面的面积。
2.如权利要求1所述的掩膜板，其特征在于：所述透明衬底的材料为石英。
3.如权利要求1所述的掩膜板，其特征在于：遮光图形的材料包括铬或氧化铬。
4.如权利要求1所述的掩膜板，其特征在于：所述遮光线条的横截面形状为“T”形。
5.如权利要求1所述的掩膜板，其特征在于：所述遮光线条横截面的形状为倒梯形。
6.一种掩膜板，包括透明衬底和遮光图形，所述遮光图形由复数个遮光线条组成，所述遮光线条具有顶面和底面，所述底面为遮光线条与所述透明衬底的接触面，其特征在于：所述遮光线条横截面的顶面的宽度大于底面的宽度。
7.如权利要求6所述的掩膜板，其特征在于：所述透明衬底的材料为石英。
8.如权利要求6所述的掩膜板，其特征在于：所述遮光图形的材料包括铬或氧化铬。
9.如权利要求6所述的掩膜板，其特征在于：所述遮光线条的横截面形状为“T”形。
10.如权利要求6所述的掩膜板，其特征在于：所述遮光线条横截面的形状为倒梯形。
11.一种掩膜板的制造方法，包括：
提供一透明衬底；
在所述衬底表面沉积遮光层；
向所述遮光层中注入金属杂质离子；
在所述遮光层表面形成光刻胶图形；
以所述光刻胶图形为掩膜刻蚀所述遮光层，形成遮光图形，所述遮光图形包括复数个遮光线条，所述遮光线条具有顶面和底面，所述顶面的面积大于底面的面积，或所述遮光线条的横截面的顶面宽度大于底面宽度，所述底面为遮光线条与所述透明衬底的接触面；
移除所述光刻胶图形。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述遮光层的材料为铬或氧化铬。
13.如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述杂质离子为金属离子。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于：所述金属为铝、钽、金中的一种或组合。
15.如权利要求12、13或14所述的方法，其特征在于：刻蚀所述遮光层的气体包括SF6、CHF3或CF4中的一种或组合。
16.如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述遮光线条的横截面形状为“T”形。
17.如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述遮光线条横截面的形状为倒梯形。
18.如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述透明衬底为石英。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
