[发明专利]光刻工艺的显影方法

权利要求书

1.一种光刻工艺的显影方法，其特征在于，包括：

提供半导体晶片，在所述半导体晶片上具有光敏材料层；

向所述光敏材料层喷洒显影液，使显影液布满整个光敏材料层表面；

保持所述半导体晶片静止T时间，显影液与光敏材料层中的可溶解区域反应，使所述可溶解区域的光敏材料溶解；

向所述光敏材料层喷洒去离子水，并旋转所述半导体晶片，使溶解有光敏材料的显影液和多余的显影液被甩出半导体晶片边缘之外；

停止喷洒去离子水，并继续旋转所述半导体晶片；

停止旋转所述半导体晶片；

其中，在开始向所述光敏材料层喷洒去离子水时以及之后的60s内，所述半导体晶片的旋转速率小于或等于100rpm。

2.如权利要求1所述的光刻工艺的显影方法，其特征在于：在开始向所述光敏材料层喷洒去离子水时以及之后的60s内，所述半导体晶片的旋转速率小于或等于30rpm。

3.如权利要求2所述的光刻工艺的显影方法，其特征在于：在开始向所述光敏材料层喷洒去离子水时以及之后的60s内，所述半导体晶片的旋转速率为15rpm。

4.如权利要求1所述的光刻工艺的显影方法，其特征在于：在向所述光敏材料层喷洒去离子水之前，以小于100rpm的第一速率旋转所述半导体晶片，甩掉部分或全部溶解有光敏材料的显影液和多余的显影液。

5.如权利要求1所述的光刻工艺的显影方法，其特征在于：在向所述光敏材料层表面喷洒去离子水之前，

以第二速率旋转所述半导体晶片，甩掉所述半导体晶片表面已经溶解的光刻胶和多余的显影液；

再次向所述光敏材料层面喷洒显影液，使显影液布满整个光敏材料 层表面；

并在显影液与光敏材料层反应后，以第三速率旋转所述半导体晶片；

其中，所述第二速率和第三速率小于或等于100rpm。

6.如权利要求1所述的光刻工艺的显影方法，其特征在于：所述第二速率和第三速率小于或等于30rpm。

7.如权利要求1所述的光刻工艺的显影方法，其特征在于：在向所述光敏材料层表面喷洒去离子水之前，

多次向所述光敏材料层补充显影液，并在每次补充后，通过旋转所述半导体晶片将已经与光敏材料反应而溶解有光敏材料的显影液和多余的显影液甩出，其中，半导体晶片旋转的速率小于或等于100rpm。

8.如权利要求1至6任一权利要求所述的光刻工艺的显影方法，其特征在于，向所述光敏材料层喷洒去离子水时，所述半导体晶片旋转的步骤如下：

以第四速率旋转所述半导体晶片；

以小于第四速率的第五速率旋转所述半导体晶片；

以大于第四速率的第六速率旋转所述半导体晶片；

以大于所述第六速率的第七速率旋转所述半导体晶片。

9.如权利要求1至6任一权利要求所述的光刻工艺的显影方法，其特征在于：在向所述光敏材料层表面喷洒显影液之前，先向所述光敏材料层表面喷洒表面活性剂RRC。

10.如权利要求9所述的光刻工艺的显影方法，其特征在于：喷洒表面活性剂RRC时，旋转所述半导体晶片。

11.一种光刻工艺的显影方法，其特征在于，包括：

提供半导体晶片，在所述半导体晶片上具有光敏材料层；

向所述光敏材料层喷洒显影液，使显影液布满整个光敏材料层表面； 

间歇性的旋转所述半导体晶片，显影液与光敏材料层中的可溶解区域反应，使所述可溶解区域的光敏材料溶解；

向所述光敏材料层喷洒去离子水，并旋转所述半导体晶片，使溶解有光敏材料的显影液和多余的显影液被甩出半导体晶片边缘之外；

停止喷洒去离子水，并继续旋转所述半导体晶片；

停止旋转所述半导体晶片；

其中，

间歇性的旋转所述半导体晶片步骤中的旋转速率小于或等于100rpm；

在开始向所述光敏材料层喷洒去离子水时以及之后的60s内，所述半导体晶片的旋转速率小于或等于100rpm。