[发明专利]晶片清洗方法有效
| 申请号： | 200710046215.7 | 申请日： | 2007-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101391254A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 高峰;高俊涛;刘志成;王向东 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/04 | 分类号： | B08B3/04;B08B3/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 清洗 方法 | ||
1.一种晶片清洗方法，其特征在于，包括步骤：
令晶片进行第一旋转；
从所述晶片中心上方及位于所述晶片中段上方的第一位置组向所述晶片喷洒去离子水；
停止所述第一旋转；
令所述晶片进行第二旋转；
从位于所述晶片中段上方及所述晶片边缘内侧上方的第二位置组向所述晶片喷洒去离子水；
停止去离子水的喷洒；
停止所述第二旋转。
2.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于：所述第二旋转的转速低于所述第一旋转的转速。
3.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，令所述晶片停止第一旋转前，还包括步骤：
停止去离子水的喷洒。
4.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于：所述第一旋转的转速在1500rpm至2000rpm之间。
5.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于：所述第二旋转的转速在1000至1500rpm之间。
6.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于：从第一位置组向晶片喷洒去离子水时，从所述晶片中心上方喷洒的去离子水的流量等于从位于所述晶片中段上方喷洒的去离子水的流量。
7.如权利要求1或6所述的清洗方法，其特征在于：从第一位置组向晶片喷洒去离子水时所述去离子水的总流量在1500至2500ml/min之间。
8.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于：从第二位置组向晶片喷洒去离子水时，从位于所述晶片中段上方喷洒的去离子水的流量与从所述晶片边缘内侧上方喷洒的去离子水的流量间的比值在2∶1至4∶1之间。
9.如权利要求1或8所述的清洗方法，其特征在于：从第二位置组向晶片喷洒去离子水时所述去离子水的总流量在1500至2500ml/min之间。
10.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于：所述从第二位置组向晶片喷洒去离子水的持续时间在10秒至30秒之间。
11.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于：在停止所述第二旋转之后，还进行了第三旋转，且所述第三旋转的转速高于所述第二旋转的转速。
12.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于：在令晶片进行第一旋转之前，还包括步骤：
对所述晶片进行显影操作。
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