[发明专利]基于硅通孔的三维堆叠封装方法

权利要求书

1.一种基于硅通孔的三维堆叠封装方法，其特征在于，该三维堆叠封装方法包括如下步骤：

a.提供待封装的晶圆，每一晶圆具有若干焊垫；

b.在晶圆的正面沉积阻挡层后，进行蚀刻步骤，露出晶圆上的焊垫；

c.在对应焊垫的位置制作所述硅通孔；

d.采用无电极电镀向硅通孔内填充金属，填充的金属一端与焊垫电性连接，另一端延伸出晶圆的背面形成连接部；

e.采用无电极电镀在焊垫上电镀金属，电镀的金属突出晶圆正面形成连接部；

f.一晶圆正面的连接部与另一晶圆背面的连接部进行键合连接。

2.如权利要求1所述的三维堆叠封装方法，其特征在于：在步骤c制作硅通孔之前进行晶圆减薄步骤。

3.如权利要求1所述的三维堆叠封装方法，其特征在于：步骤d和e中的填充的金属和电镀的金属是镍或者铜。

4.如权利要求1所述的三维堆叠封装方法，其特征在于：所述两连接部的外表面均镀有焊接材料，其是金、锡、铅或者含有金、锡、铅中至少两种的合金。

5.如权利要求1所述的三维堆叠封装方法，其特征在于：步骤d中的连接部呈帽状，顶端距离晶圆背面2-30μm。

6.如权利要求1所述的三维堆叠封装方法，其特征在于：进行步骤f后，所述一晶圆正面与所述另一晶圆背面之间的距离至少是3μm。

7.如权利要求1所述的三维堆叠封装方法，其特征在于：步骤c在步骤b之前进行。