[发明专利]去除缺陷膜层及形成氧化硅-氮化硅-氧化硅侧墙的方法无效
| 申请号： | 200710046302.2 | 申请日： | 2007-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101393864A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 范建国;郭军;季峰强;俞新波 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/311;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 去除 缺陷 形成 氧化 氮化 硅侧墙 方法 | ||
1.一种去除缺陷膜层的方法，其特征在于，包括下列步骤:
提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次包含有第一膜层和缺陷第二膜层；用蚀刻第二膜层的速率大于蚀刻第一膜层的速率的溶液去除缺陷第二膜层。
2.根据权利要求1所述去除缺陷膜层的方法，其特征在于，所述溶液为氟化氢溶液。
3.根据权利要求2所述去除缺陷膜层的方法，其特征在于，所述氟化氢溶液的稀释比例为HF:H2O＝1:50～1:100。
4.根据权利要求1所述去除缺陷膜层的方法，其特征在于，所述第二膜层为氧化硅层。
5.根据权利要求1所述去除缺陷膜层的方法，其特征在于，所述第一膜层为氮化硅层。
6.根据权利要求1至4任一项所述去除缺陷膜层的方法，其特征在于，氟化氢溶液蚀刻氧化硅层的速率为180埃/分～400埃/分。
7.根据权利要求1至5任一项所述去除缺陷膜层的方法，其特征在于，氟化氢溶液蚀刻氮化硅层的速率为2埃/分～4埃/分。
8.一种形成氧化硅-氮化硅-氧化硅侧墙的方法，其特征在于，包括下列步骤:提供带有栅极的半导体衬底，所述半导体衬底及栅极上依次形成有第一氧化硅层、氮化硅层及缺陷第二氧化硅层；
用蚀刻氧化硅层的速率大于蚀刻氮化硅层的速率的溶液去除缺陷第二氧化硅层；
在氮化硅层上形成第三氧化硅层；
蚀刻第三氧化硅层、氮化硅层及第一氧化硅层形成侧墙。
9.根据权利要求8所述形成氧化硅-氮化硅-氧化硅侧墙的方法，其特征在于，所述溶液为氟化氢溶液。
10.根据权利要求9所述形成氧化硅-氮化硅-氧化硅侧墙的方法，其特征在于，所述氟化氢溶液的稀释比例为HF:H2O＝1:50～1:100。
11.根据权利要求10所述形成氧化硅-氮化硅-氧化硅侧墙的方法，其特征在于，氟化氢溶液蚀刻氧化硅层的速率为180埃/分～400埃/分。
12.根据权利要求11所述形成氧化硅-氮化硅-氧化硅侧墙的方法，其特征在于，氟化氢溶液蚀刻氮化硅层的速率为2埃/分～4埃/分。
13.根据权利要求8所述形成氧化硅-氮化硅-氧化硅侧墙的方法，其特征在于，形成第一氧化硅层、氮化硅层、第二氧化硅层及第三氧化硅层的方法为低压化学气相沉积法。
14.根据权利要求8所述形成氧化硅-氮化硅-氧化硅侧墙的方法，其特征在于，蚀刻第三氧化硅层、氮化硅层及第一氧化硅层的方法为干法蚀刻法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
