[发明专利]缺陷分析方法和系统有效
| 申请号： | 200710046496.6 | 申请日： | 2007-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101399216A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 杨健;阎海滨;陈思安;陈宏璘 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 缺陷 分析 方法 系统 | ||
1.一种缺陷分析方法，其特征在于，包括：
获取机械性划伤的缺陷点的坐标信息，所述机械性划伤的缺陷点的坐标信息由缺陷检测设备输出；
根据所述机械性划伤的缺陷点的坐标信息，将所述机械性划伤转换为在坐标系中的直线；
计算机械性划伤宽度，所述机械性划伤宽度为两倍的晶片中心到所述直线的距离；
比较计算所得的机械性划伤宽度和各种工艺设备的机械臂宽度，确定可能造成所述机械性划伤的工艺设备。
2.根据权利要求1所述的缺陷分析方法，其特征在于，所述获取机械性划伤的缺陷点的坐标信息是指计算得到机械性划伤的缺陷点在以晶片中心为坐标原点的坐标系中的坐标。
3.根据权利要求2所述的缺陷分析方法，其特征在于，将所述机械性划伤转换为在坐标系中的直线是指将机械性划伤转换为以晶片中心为坐标原点的坐标系中的直线方程。
4.根据权利要求3所述的缺陷分析方法，其特征在于，计算机械性划伤宽度是根据下述公式计算机械性划伤宽度：
W＝2*C/(A2+B2)1/2
其中，A、B、C为以晶片中心为坐标原点的坐标系中的直线方程Ax+By+C＝0中的系数。
5.根据权利要求1所述的缺陷分析方法，其特征在于，所述获取机械性划伤的缺陷点的坐标信息是指计算得到机械性划伤的缺陷点在缺陷检测设备所定义的坐标系中的坐标。
6.根据权利要求5所述的缺陷分析方法，其特征在于，将所述机械性划伤转换为在坐标系中的直线是指将机械性划伤转换为缺陷检测设备所定义的坐标系中的直线方程。
7.根据权利要求6所述的缺陷分析方法，其特征在于，计算机械性划伤宽度是根据下述公式计算机械性划伤宽度：
W＝2*D＝2*(Ax1+By1+C)/(A2+B2)1/2
其中，A、B、C为缺陷检测设备所定义的坐标系中的直线方程Ax+By+C＝0中的系数，x1、y1为晶片中心在缺陷检测设备所定义的坐标系中的坐标。
8.一种缺陷分析系统，其特征在于，包括：
获取单元，用于获取机械性划伤的缺陷点的坐标信息，所述机械性划伤的缺陷点的坐标信息由缺陷检测设备输出；
转换单元，用于根据所述机械性划伤的缺陷点的坐标信息，将所述机械性划伤转换为在坐标系中的直线；
计算单元，用于计算机械性划伤宽度，所述机械性划伤宽度为两倍的晶片中心到所述直线的距离；
分析单元，用于比较计算所得的机械性划伤宽度和各种工艺设备的机械臂宽度，确定可能造成所述机械性划伤的工艺设备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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