[发明专利]一种杆状ZnO单晶材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200710046543.7 | 申请日： | 2007-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101220508A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 张宁;郁可;朱自强;王翠翠;崔庆月;王青艳;黄勇 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B23/00;C30B29/62 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程宗德 |
| 地址： | 20024*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 杆状 zno 材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种杆状ZnO单晶材料，其特征在于长度为0.5mm～15mm，直径为80nm～4000nm.
2.一种杆状ZnO单晶材料的制备方法，其特征在于包括以下几个步骤：
第一步，将质量比为3∶1∶3～10∶1∶10的ZnO粉末、CuO粉末和石墨粉末，加入乙醇，超声混合后烘干至粉末状；
第二步，将水平管式生长炉加热到870℃～950℃；然后以1.0～2.0L/min的流量充入N2；
第三步，将第一步配好的原料放到石英舟上，然后把石英舟放到水平管式炉的中部；在石英舟的下端的1cm～5cm处放置衬底收集生成物；
第四步，衬底随水平管式生长炉自然降温至室温，打开水平管式生长炉，取出衬底，得到生长在石英舟和衬底上杆状结构的ZnO单晶材料。
3.如权利要求2所述的杆状ZnO单晶材料的制备方法，其特征在于衬底是p型单晶硅片、n型单晶硅片或者石英片。
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