[发明专利]一种MOS管界面态的测试方法无效
| 申请号： | 200710046681.5 | 申请日： | 2007-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101136347A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 唐逸 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mos 界面 测试 方法 | ||
1.一种MOS管界面态测试方法，其特征在于：它包括以下步骤：
步骤1：采用电荷泵测试法测得一条电荷泵电流曲线，通过漏端开路和源端开路分别获得另外两条电荷泵电流曲线；
步骤2：将这三条曲线相同部分和不同部分进行分离可分别得到源、漏和沟道处电荷泵电流；
步骤3：通过源、漏和沟道处电荷泵电流可获得这三处界面态密度。
2.如权利要求1所述的MOS管界面态测试方法，其特征在于：步骤3中三处界面态密度是通过如下公式获得的：
其中Dit为界面态密度，q是基本电荷f是脉冲频率，Ag是栅电极的面积，ΔE是硅表面在反型与积累时费米能级之间的能量差。
3.如权利要求1所述的MOS管界面态测试方法，其特征在于：在步骤1中，采用电荷泵法测试电荷泵电流曲线时，漏端和源端是和衬底短接的。
4.如权利要求1所述的MOS管界面态测试方法，其特征在于：在步骤1中，在测试漏端开路的电荷泵电流曲线时，MOS管的漏端是悬空的，源端是和衬底短接的。
5.如权利要求1所述的MOS管界面态测试方法，其特征在于：在步骤1中，在测试源端开路的电荷泵电流曲线时，MOS管的源端是悬空的，漏端是和衬底短接的。
6.如权利要求3至5中任一项所述的MOS管界面态测试方法，其特征在于：MOS管衬底和与之短接端之间接一反向偏置电压，栅极外接加载电压。
7.如权利要求6所述的MOS管界面态测试方法，其特征在于：MOS管的栅极外接加载电压为一电压频率和幅度固定，基准电压Vbase变化，幅值大于平带电压Vfb和阈值电压Vth压差的脉冲电压。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
