[发明专利]一种改进型电容及其制造方法有效
| 申请号： | 200710046684.9 | 申请日： | 2007-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101399266A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 杨承;罗飞;王娉婷;朱虹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L27/146;H01L21/822 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改进型 电容 及其 制造 方法 | ||
1.一种改进型电容，其设置在已制造完金属前介质和第一金属层的半导体器件中，该电容包括上下电极和夹设在上下电极间的绝缘介质层，其中，该下电极为多晶硅，其特征在于，该金属前介质中设置有连通的电极凹槽和接触孔，该下电极设置在该电极凹槽中且通过设置在该接触孔中的多晶硅插塞连接至半导体器件的硅衬底，该上电极设置在该第一金属层中。
2.如权利要求1所述的改进型电容，其特征在于，该电极凹槽的横截面积大于该接触孔的最大横截面积。
3.如权利要求1所述的改进型电容，其特征在于，该下电极和该多晶硅插塞通过低压化学气相沉积工艺制成。
4.如权利要求1所述的改进型电容，其特征在于，该金属前介质为氧化硅。
5.如权利要求1所述的改进型电容，其特征在于，该绝缘介质层为氮化硅或氧化硅。
6.一种权利要求1所述的改进型电容制造方法，该电容制造在已制造完金属前介质的半导体器件上，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)光刻并刻蚀出多晶硅插塞对应的接触孔；(2)光刻并刻蚀出下电极对应的电极凹槽；(3)通过化学气相沉积向该接触孔和电极凹槽中沉积多晶硅；(4)进行化学机械抛光以形成多晶硅插塞和下电极；(5)制造电容的绝缘介质层；(60)通过化学气相沉积工艺沉积第一金属层；(61)进行光刻和刻蚀以得到电容的上电极。
7.如权利要求6所述的改进型电容制造方法，其特征在于，在步骤(3)中，通过低压化学气相沉积工艺沉积多晶硅。
8.如权利要求6所述的改进型电容制造方法，其特征在于，该步骤(5)包括以下步骤：(50)通过化学气相沉积工艺沉积绝缘介质层；(51)进行光刻和刻蚀以得到电容的绝缘介质层。
9.如权利要求6所述的改进型电容制造方法，其特征在于，在步骤(4)与步骤(5)间还包括在金属前介质中制作金属插塞的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
