[发明专利]一种可避免被顶层金属腐蚀的金属垫制作方法

权利要求书

1、一种可避免被顶层金属腐蚀的金属垫制作方法，该金属垫制作在已制成顶层金属的半导体器件上，该方法包括以下步骤：(1)在该顶层金属上制作扩散阻挡层；(2)通过物理气相沉积工艺沉积金属层；(3)依据金属垫图形进行光刻和刻蚀以形成金属垫；其特征在于，该方法在步骤(1)与步骤(2)间还具有致密该扩散阻挡层的步骤。

2、如权利要求1所述的可避免被顶层金属腐蚀的金属垫制作方法，其特征在于，通过热处理来致密该扩散阻挡层。

3、如权利要求2所述的可避免被顶层金属腐蚀的金属垫制作方法，其特征在于，该热处理在惰性气体氛围中进行，且热处理温度为100至300摄氏度。

4、如权利要求3所述的可避免被顶层金属腐蚀的金属垫制作方法，其特征在于，该惰性气体为氮气或氩气。

5、如权利要求1所述的可避免被顶层金属腐蚀的金属垫制作方法，其特征在于，通过放置在空气中生成自然氧化层来致密该扩散阻挡层，其中，放置时间为30分钟。

6、如权利要求1所述的可避免被顶层金属腐蚀的金属垫制作方法，其特征在于，在步骤(1)中，通过化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺来制作该扩散阻挡层。

7、如权利要求1所述的可避免被顶层金属腐蚀的金属垫制作方法，其特征在于，该金属垫制作方法还包括步骤(4)制作覆盖在金属垫周边的保护层。

8、如权利要求1所述的可避免被顶层金属腐蚀的金属垫制作方法，其特征在于，该扩散阻挡层为氮化钽或氮化钛。

9、如权利要求1所述的可避免被顶层金属腐蚀的金属垫制作方法，其特征在于，该顶层金属为铜。

10、如权利要求1所述的可避免被顶层金属腐蚀的金属垫制作方法，其特征在于，该金属层为铝，相应地该金属垫为铝垫。