[发明专利]栅极及NMOS晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 200710046810.0 | 申请日： | 2007-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101399192A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 黄怡;张海洋;陈海华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/311;G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 nmos 晶体管 制作方法 | ||
1.一种栅极的制作方法，其特征在于，包括：
提供依次带有栅介电层、多晶硅层、硬掩膜层及图案化光刻胶层的半导体衬底；
以光刻胶层为掩膜，利用刻蚀气体刻蚀硬掩膜层和多晶硅层至露出栅介电层，形成栅极，由于光刻胶层与刻蚀气体反应在所述栅极两侧形成有聚合物层；
依次去除光刻胶层和硬掩膜层后，去除聚合物层。
2.根据权利要求1所述栅极的制作方法，其特征在于，所述去除硬掩膜层的方法为湿法蚀刻法。
3.根据权利要求2所述栅极的制作方法，其特征在于，所述湿法蚀刻法采用的溶液为磷酸，浓度为98％。
4.根据权利要求1所述栅极的制作方法，其特征在于，所述去除光刻胶层的方法为灰化法。
5.根据权利要求4所述栅极的制作方法，其特征在于，所述灰化法所需的温度为240℃～280℃。
6.根据权利要求1所述栅极的制作方法，其特征在于，所述聚合物层的材料为碳氢氯化合物和氟硅氧化合物。
7.根据权利要求6所述栅极的制作方法，其特征在于，去除聚合物层的方法为湿法酸洗。
8.根据权利要求7所述栅极的制作方法，其特征在于，所述酸洗溶液为氢氟酸、氢氧化铵和双氧水组合。
9.一种NMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
提供依次带有栅介电层、多晶硅层、硬掩膜层及图案化光刻胶层的半导体衬底；
以光刻胶层为掩膜，利用刻蚀气体刻蚀硬掩膜层和多晶硅层至露出栅介电层，形成栅极，由于光刻胶层与刻蚀气体反应在所述栅极两侧形成有聚合物层；
依次去除光刻胶层和硬掩膜层后，去除聚合物层；
在栅极两侧形成侧墙；
在栅极两侧的半导体衬底内形成源/漏极。
10.根据权利要求9所述NMOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述去除硬掩膜层的方法为湿法蚀刻法。
11.根据权利要求10所述NMOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述湿法蚀刻法采用的溶液为磷酸，浓度为98％。
12.根据权利要求9所述NMOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述去除光刻胶层的方法为灰化法。
13.根据权利要求12所述NMOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述灰化法所需的温度为240℃～280℃。
14.根据权利要求9所述NMOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述聚合物层的材料为碳氢氯化合物和氟硅氧化合物。
15.根据权利要求14所述NMOS晶体管的制作方法，其特征在于，去除聚合物层的方法为湿法酸洗。
16.根据权利要求15所述NMOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述酸洗溶液为氢氟酸、氢氧化铵和双氧水组合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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