[发明专利]大功率发光二极管用低温共烧陶瓷与氮化铝叠层基板及其制备方法

权利要求书

1.一种大功率发光二极管用低温共烧陶瓷与氮化铝叠层基板，包括基板，其特征在于所述的基板为叠层基板：其上层为低温共烧陶瓷LTCC陶瓷层，下层为氮化铝AlN陶瓷层。

2.根据权利要求1所述的大功率发光二极管用低温共烧陶瓷与淡化铝叠层基板，其特征在于所述的低温共烧陶瓷LTCC陶瓷层内分布有电极层，即电路导带；

3.根据权利要求1所述的大功率发光二极管用低温共烧陶瓷与淡化铝叠层基板，其特征在于所述的低温共烧陶瓷LTCC陶瓷层形成安装大功率发光二极管LED芯片的方形或者圆形空腔；

4.一种大功率发光二极管用低温共烧陶瓷与氮化铝叠层基板的制备方法，用于制备根据权利1所述的大功率发光二极管用低温共烧陶瓷与氮化铝叠层基板，其特征在于工艺步骤如下：

a.高温烧结氮化铝AlN层，并将多层氮化铝AlN陶瓷共烧，形成氮化铝基板，

低温烧结LTCC陶瓷层并在LTCC层上冲出适合安装大功率发光二极管LED芯片的空腔；

b.在LTCC陶瓷层上通过丝网印刷电路导带，并将多层LTCC陶瓷层共烧在一起；

c.将氮化铝AlN层与低温共烧陶瓷层通过粘结材料共烧，形成叠层基板。

5.根据权利要求4所述的大功率发光二极管用低温共烧陶瓷与氮化铝叠层基板的制备方法，其特征在于，步骤2中，所述的电极材料为银Ag系或者金Au系；

6.根据权利要求4所述的大功率发光二极管用低温共烧陶瓷与氮化铝叠层基板的制备方法，其特征在于，步骤c中，粘结材料为银Ag系或者耐高温胶。