[发明专利]一种通过调节缺陷检查设备参数过滤芯片锥形缺陷的方法有效
申请号: | 200710047058.1 | 申请日: | 2007-10-16 |
公开(公告)号: | CN101414568A | 公开(公告)日: | 2009-04-22 |
发明(设计)人: | 马利华;张书玉 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/93;G01N21/95 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 王 洁 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 通过 调节 缺陷 检查 设备 参数 过滤 芯片 锥形 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体芯片制造领域中通过调节缺陷检查设备参数过滤芯片锥形缺陷的方法。
背景技术
在半导体芯片生产领域中,需要对每个晶圆芯片表面进行扫描检测,发现芯片表面的缺陷,分开正常的芯片和不正常有缺陷的芯片,最终不正常的芯片将被剔除,正常的芯片继续进入流程。这类缺陷检测的仪器(inspectiontool)很多。原理是使用激光对芯片表面进行扫描,根据接收的散射信号强度判断芯片上是否存在有缺陷,标识有缺陷的芯片。
芯片缺陷的种类很多,有些叫杀手缺陷(killer defect)。这类缺陷存在将改变芯片的电学性质。比如,在芯片上的金属线条之间有颗粒灰尘,从而造成了线路短路。这类的杀手缺陷将造成整个芯片不合格。理论上说,扫描的目的就是发现找到这类的杀手缺陷。
由于材料或者刻蚀工艺不完全,晶圆芯片表面还会产生一些锥形突起,叫锥形缺陷(cone defect)。这种锥形缺陷有如下特点:
1,锥形缺陷并不是杀手缺陷。其存在并不影响质量,对芯片良率不发生影响。也就是说,是一种可以允许的缺陷。
2,用设备扫过程中,由于锥形缺陷散射强度很高,扫描设备又是根据散射的强度检测缺陷,所以这些锥形缺陷就很容易被检测到。这样一来,锥形缺陷和杀手缺陷的信号混合在一起,机器无法分开,就会影响到最终的扫描结果。
3,根据实际经验,锥形缺陷主要分布于比较平坦光滑的区域,就是所谓空旷区。在芯片表面上,一般会有些逻辑(Logic)电路密集的地方,叫逻辑区域,一些动态存贮区域(Sram)以及没有什么线条的空旷区域(open)。锥形缺陷大多分布于空旷区域。
实际工作中,使用扫描设备进行常规扫描结果是,含有不重要的锥形缺陷的芯片和含有重要的杀手缺陷的芯片一起都被标明是不合格的产品,使得芯片良率很低。扫描结果没有反应实际的产品状况。
现有的解决办法,主要有以下三点:
1,调高扫描系统的阈值,从而将扫描程式调整到比较宽松。
2,减少扫描区域,就是不扫描空旷区域,以免空旷区域的锥形缺陷对检测发生影响。
3,按照给定的锥形缺陷图案进行自动缺陷分类的办法。但是这些办法都有一定风险。
方法1中调高阈值,可以去掉较小的锥形缺陷,但是对较大的缺陷并不能过滤掉,而且,太高的阈值,还会影响到真正需要检测到的杀手缺陷也会被过滤掉,造成漏检。
方法2中,减少扫描区域,不扫描空旷区域,假如空旷区域存在很大的污染就会造成漏检。
方法3中,给定了锥形缺陷图案,扫描设备机台会自动按照图案进行检索。但是由于锥形图案多种多样,很难穷尽,所以也难于过滤掉大部分的锥形缺陷。
总之,以上方法都存在一定风险,影响扫描检测效果的准确性。
发明内容
一种通过调节缺陷检查设备参数过滤芯片锥形缺陷的方法,Lo三个参数为三个动态散射接收器的电压值,包括以下步骤:
A,在给定偏振组合的情况下,将扫描设备机器系统参数Lo的三个值调整到系统默认值和0之间。
B,扫描设备机台全芯片观测模式(Full Die Macroview)下,将选择不同区域并制图(Select specific region and make a pLot)功能中的区域选定为逻辑区域,然后选用柱状图(histogram)功能得到本区域三个接收器的散射动态接受强度分布图。
C,三个接收器的散射动态接受强度分布图上确定对应的三个峰形左面开始上升点在本分布图上横坐标的三个数值,就是Lo参数的三个值。
D,使用C中得到的三个Lo参数做为Lo参数值进行扫描。
作为本发明的一种优选方式,可以在步骤A中选用Lo参数的三个值为0,0,0。
作为本发明的一种优选方式,在A和B步骤之间可插入以下步骤:在选择不同区域并制图功能中,可以首先将区域选择为全部芯片区域然后选用柱状图功能得到三个接收器全部区域的散射动态接受强度分布图,如果全部区域散射动态接受强度分布图正常,再进行B,C和D步骤。
作为本发明的一种优选方式,在A和B步骤之间可插入以下步骤:在选择不同区域并制图功能中,可以首先将区域选择为全部芯片区域然后选用柱状图功能得到三个接收器全部区域的散射动态接受强度分布图,如果全部区域散射动态接受强度分布图不正常即空旷区域有异常散射情况发生,则B步骤中的区域选择就改为空旷区域,得到空旷区域散射动态接受强度分布图,再进行C和D步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710047058.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造