[发明专利]垂直取向模式液晶显示装置无效
申请号: | 200710047151.2 | 申请日: | 2007-10-18 |
公开(公告)号: | CN101144945A | 公开(公告)日: | 2008-03-19 |
发明(设计)人: | 高孝裕;李喜峰 | 申请(专利权)人: | 上海广电光电子有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/136;G02F1/139 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人: | 白璧华 |
地址: | 200233上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 垂直 取向 模式 液晶 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置,尤其涉及一种垂直取向模式液晶显示装置。
背景技术
液晶显示装置(LCD)具有低功耗、外型薄、重量轻等特点,目前广泛应用于显示器,电视,笔记本电脑等。LCD包括一对相对设置的第一基板、第二基板和插入在两个基板之间的液晶,其中第一基板上设置有诸如薄膜晶体管和像素电极以及储存电容(Cs)电极,称为阵列基板,第二基板上设置有红、绿、蓝三色素和公共电极,称为彩膜基板。通过对电极施加电压,LCD在液晶层产生电场,并且通过控制电场的强度改变液晶分子的取向、入射到液晶层上的偏振光以及改变入射到液晶层上的光的透光率来获得理想的图像。
以往的液晶显示装置一般视角比较小,为了加大LCD的可视视角,业内采用了多种技术,其中一种是采用多域垂直取向技术,即该类液晶显示装置主要由第一基板(即薄膜晶体管阵列基板)、第二基板(即彩膜基板)、液晶层与突起构成,其中突起是用来使液晶分子呈多方向排列,且此突起可配置于第二基板或第一基板之上,也可以同时配置于两者之上。
该突起将单个像素划分为几个区域,使得液晶沿互不相同的倾斜方向取向。根据液晶的取向形成多域像素。例如,第一区域内的液晶沿第一倾斜方向取向,第二区域的液晶沿第二倾斜方向取向。因此,当用户从LCD的一侧观看屏幕时,第一区域的液晶没有透光,但是光透过了第二区域的液晶,由此增大了LCD的视角。为了形成上述多域像素,在LCD中,常采用垂直取向(VA)模式,使得液晶在不同区域具有不同的取向。具体地,在彩膜基板的表面上形成突起(protrusion)23,如图1所示。通过突起改变作用于液晶上的电场的属性。结果,以突起作为边界的液晶沿不同倾斜方向排列。这样,光可以透过不同的区域,增大了显示的视角。但使用中,当在液晶层上未施加电压时,如图2所示,由于液晶分子具有倾向于突起表面的特性,因此在突起位置常引起漏光,降低了显示的对比度。
同时为了使像素在一帧时间内保持相同的电压,常在第一基板上制作存储电容,通过储存电容电极、像素电极层和介质层构成,如图1、图2所示,存储电容电极111作为存储电容的一极,其与栅极112同时制作完成,栅极112上形成有SiNx绝缘层12,第一基板10的表面形成有像素电极层15。由于存储电容电极111为不透光区域,因此降低了像素的开口率。随着消费者对显示画质要求越来越高,因此要求TFT液晶显示器具有大开口率、高对比度。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种液晶显示装置能改善在突起位置发生的漏光现象,同时增大像素的开口率。
为了解决上述技术问题,本发明的垂直取向模式液晶显示装置,包括相对设置的第一基板、第二基板和液晶层,在第二基板相对液晶层的表面上设置有突起或狭缝,在第一基板上设置有栅极和储存电容电极,在所述的第一基板上对应于所述突起的位置也设置有储存电容电极。
在第一基板上对应于所述第二基板上的突起或狭缝的所有位置均可设置有储存电容电极。
本发明的垂直取向模式液晶显示装置由于在第一基板上对应于设置于基板上突起的位置设置了金属不透光的储存电容电极,所以大大改善了突起位置的漏光现象;同时,由于在突起位置设置了储存电容电极,所以要达到要求所需的储存电容,在原先位置所需设置的储存电容电极面积自然可以减少很多,这样就巧妙地分散了储存电容电极的分布,提高了液晶显示装置的开口率,使得显示质量得到进一步提升,从而获得高品质的液晶显示装置。
附图说明
图1现有技术的垂直取向模式液晶显示装置的像素结构示意图;
图2现有技术图1的A-A截面结构示意图;
图3本发明垂直取向模式液晶显示装置的像素结构示意图;
图4本发明图3的B-B截面结构示意图;
图5A-5D本发明垂直取向模式液晶显示装置的阵列基板的制造过程。
图中:10.第一基板 12.绝缘层 15.像素电极
20.第二基板 21.彩膜(CF) 22.公共电极
23.突起 24.液晶层 111.储存电容电极
112.栅极
121.薄膜层 122.保护膜 123.接触孔
131.半导体图形
141.源极 142.漏极
具体实施方式
以下结合附图及具体实施例对本发明作进一步说明。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海广电光电子有限公司,未经上海广电光电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710047151.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:低温燃料电池电极用PTFE/C复合粉体及应用
- 下一篇:细水雾消防面包车