[发明专利]柔性薄膜太阳电池组件有效
申请号: | 200710047428.1 | 申请日: | 2007-10-25 |
公开(公告)号: | CN101419990A | 公开(公告)日: | 2009-04-29 |
发明(设计)人: | 陈萌炯;叶晓军;张忠卫;王训春;李志刚;陈鸣波 | 申请(专利权)人: | 上海空间电源研究所 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L25/16;H01L23/488 |
代理公司: | 上海航天局专利中心 | 代理人: | 金家山 |
地址: | 20023*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 薄膜 太阳电池 组件 | ||
1.一种柔性薄膜太阳电池:其特征在于,该太阳电池包括:
覆盖膜[110]通过粘接剂层[120]与背面衬底膜[130]连接;粘接剂层[120] 中具有若干由沉积在薄膜衬底上的太阳电池单元[100]组成的太阳电池单元 组件;薄膜衬底的两端通过硅树脂[121]粘结成弯钩状,再通过导电银浆[170] 实现太阳电池单元组件相互之间的串联;背面衬底膜[130]的两端各有一个互 联条[161],它与最外端的太阳电池单元组件的电极相连;太阳电池单元组件 的电流通过互联条[161]上的汇流条[160]引出;在太阳电池组件的一个引出 端上设置有旁路二极管[140],它的一个电极与该端的互联条[161]连接,另 一个电极通过旁路二极管汇流条[162]与太阳电池组件另一引出端上的互联 条[161]连接。
2.根据权利要求1所述的柔性薄膜太阳电池,其特征在于:所述的太阳 电池单元[100]是非晶硅薄膜太阳电池、铜铟镓硒薄膜太阳电池或碲化镉电 池;该薄膜电池沉积在聚酯膜衬底上,或者沉积在金属箔衬底上;聚酯膜衬 底是聚酰亚胺薄膜,或者是聚氨脂薄膜,其厚度≤50μm;金属箔衬底是不锈 钢箔,或者是铝箔,其厚度≤50μm。
3.根据权利要求2所述的柔性薄膜太阳电池,其特征在于:所述的以金 属箔衬底的太阳电池单元组件包括:电池单元[200]沉积于金属箔衬底[201] 上,组成金属箔衬底太阳电池单元组件[203];在电池沉积过程中,金属箔衬 底太阳电池单元组件[203]之间的金属箔衬底[201]的边缘留有5mm空隙的衬 底,上面具有孔径为2mm的穿孔,穿孔密度与电池正电极栅线密度相当;在 空隙中填充有低温导电银浆[170],形成内联式的太阳电池单元组件。
4.根据权利要求3所述的柔性薄膜太阳电池,其特征在于:所述的金属 箔衬底[201]的背面整合有旁路二极管[240],包括:先沉积P型、后沉积N 型半导体「230];在N型半导体[230]上沉积整合式二极管背电极[231]作为N 型电极。
5.根据权利要求1所述的柔性薄膜太阳电池,其特征在于:所述的旁路 二极管[140]置于太阳电池组件的负极,每个组件配有至少2个;所述的旁路 二极管[140]采用薄膜式二极管,整合于单片电池背面,二极管是PN结二极 管,或者是Schottky结二极管。
6.根据权利要求1所述的柔性薄膜太阳电池,其特征在于:所述的太阳 电池组件正负极引出端的太阳电池单元[100]通过互联条[161]与汇流条[160] 连接,汇流条[160]上连接有导线[180;导线[180]至少两根,每根导线[180] 承载电流为2.5A;所述旁路二极管[140]的P极与太阳电池组件负极端的互联 条[161]连接;所述旁路二极管[140]的N极通过旁路二极管汇流条[162]与太 阳电池组件正极端的互联条[161]连接;所述的太阳电池组件正负极与互联条 [161]、互联条[161]与汇流条[160],以及汇流条[160]与导线[180]之间通过 焊接连接。
7.根据权利要求1所述的柔性薄膜太阳电池,其特征在于:所述的覆盖 膜[110]是一种选自下列的材料:高透过率的PTFE、FEP、PVDF含氟类聚合 物薄膜;厚度为25μm或50μm;耐温系数为-100℃~+100℃,透光率≥90 %。
8.根据权利要求1所述的柔性薄膜太阳电池,其特征在于:所述的粘接 剂层[120]是一种选自下列的热固性材料:EVA膜、透明硅树脂;粘结剂层[120] 的厚度为20μm~80μm,透光率≥90%,耐温系数为-60℃~+60℃。
9.根据权利要求1所述的柔性薄膜太阳电池,其特征在于:所述的背面 衬底膜[130]是一种选自下列的材料:聚酰亚胺、FEP、PEN聚合物薄膜、发 泡的聚酯膜;其厚度≤50μm,耐温系数为-100℃~+100℃。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的