[发明专利]一种制备无偏析的偏晶合金材料的方法及其装置有效
申请号: | 200710047493.4 | 申请日: | 2007-10-26 |
公开(公告)号: | CN101148746A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
发明(设计)人: | 钟云波;王江;任忠鸣 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | C22F3/02 | 分类号: | C22F3/02 |
代理公司: | 上海上大专利事务所 | 代理人: | 顾勇华 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 偏析 合金材料 方法 及其 装置 | ||
1.一种制备无偏析的偏晶合金材料的方法,其特征在于具有以下的过程和步骤:将含有偏晶成分的二元组成合金放置于设有两个石墨电极或不锈钢电极的坩埚中,并将所述的坩埚放置在有惰性气体氩气或氮气保护下的加热装置中;然后将上述整套装置放置于一超导磁体产生的强磁场空间中,磁场方向保持为向上垂直方向,调整磁场强度达1~12T范围内;然后给所述加热装置通电加热,通过控温仪控制加热装置炉内温度为偏晶合金的液相线温度上,并保温若干小时;然后控制炉温以恒定的速度降温;同时通过合金熔体两端的两个石墨电极或不锈钢电极往熔体中通入适当强度和适当频率的交变电流,电流大小为2-40A,电流频率为1-1000Hz,同时确保磁场强度和电流密度的方向为垂直正交,直至偏晶合金温度完全降至固相线温度以下,此时关闭电源,停止电流输入,待冷却至室温后即获得第二相均匀分布的偏晶合金材料。
2.一种制备无偏析的偏晶合材料的方法中所用的专用装置,该装置由水冷套管(1)、调压调频交流电源(2)、超导磁体(3)、交流电电极(4)、坩埚(5)、热电偶(6)、控温装置(7)、合金试样(8)、加热元件(9)和惰性气体输入管(10)组成;其特征在于:放置有合金试样(8)的坩埚(5)放置在设有加热元件(9)的加热炉内;在坩埚(5)内的两侧设置有两个石墨电极或不锈钢电极(4),且通过导线与调压调频交流电源(2)相连接;上述装置坩埚(5)和设有加热元件(9)的加热炉整体的最外侧设置有一具有强磁场的超导磁体(3),使上述装置整体置于强磁场空间中,且磁场方向保持为垂直向上方向;超导磁体(3)产生的磁场强度为1~12T;在超导磁体(3)和加热元件(9)之间的环形空间内设置有一水冷套管(1),以保护超导磁体(3);加热元件(9)通过导线与控温装置(7)相连接;另有一插入炉内的热电偶(6)与控温装置(7)相连接;在加热炉的底部连接有一可通过惰性气体氩或氮气的输入管(10)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学,未经上海大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710047493.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。