[发明专利]液晶显示装置阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种液晶显示装置阵列基板的制造方法，其特征在于，它包括以下步骤：

步骤1，在洁净玻璃基板上沉积栅极导电层、第一绝缘层、有源层，再涂布一层光刻胶，利用第一掩膜版进行曝光、显影，再蚀刻形成栅极配线及栅电极，然后进行第一次灰化，第一次灰化后进行蚀刻得到栅极区域和晶体管区域导电层；

步骤2，在完成步骤1的基板上依次沉积数据导线层、第二绝缘层、然后涂布一层光刻胶；采用第二块掩膜版进行曝光、显影，再蚀刻去除数据线区域、其它区域、晶体管区域的光刻胶和数据导线层，然后进行第二次灰化，第二次灰化后进行蚀刻露出栅极区域和数据线区域的数据导线层；

步骤3，在完成步骤2的基板上沉积像素电极层，并在像素电极层上涂布第三层光刻胶，利用第三块掩膜版进行曝光、显影，再蚀刻形成像素电极。

2.如权利要求1所述阵列基板的制造方法，其特征在于：所述栅电导线层所用材料为AlNd，AI，Cu，M0，MoW或Cr的单层膜，或者为AlNd，AI，Cu，M0，MoW或Cr之一或任意组合所构成的复合膜。

3.如权利要求1所述液晶显示装置阵列基板的制造方法，其特征在于：所述第一绝缘层和第二绝缘层为SiO2，SiNx或SiOxNy材料之一或任意组合所构成的复合膜。

4.如权利要求1所述液晶显示装置阵列基板的制造方法，其特征在于：所述数据导线层为Mo，MoW或Cr的的单层膜，或者为Mo，MoW或Cr之一或任意组合所构成的复合膜。

5.如权利要求1所述液晶显示装置阵列基板的制造方法，其特征在于：所述第一掩膜版和第二掩膜版为半色调掩膜版。

6.如权利要求1所述液晶显示装置阵列基板的制造方法，其特征在于：所述第一掩膜版和第二掩膜版为灰色调掩膜版。

7.如权利要求5或6所述液晶显示装置阵列基板的制造方法，其特征在于：所述第一掩膜版和第二掩膜版至少能分出三种以上的曝光等级。

8.如权利要求1所述液晶显示装置阵列基板的制造方法，其特征在于：所述在玻璃基板上进行栅极导电层沉积之前，先沉积一层透明保护绝缘膜。

9.如权利要求1所述液晶显示装置阵列基板的制造方法，其特征在于：所述进行完第一次灰化和蚀刻的步骤之后去除阵列基板上的光刻胶。

10.如权利要求1所述液晶显示装置阵列基板的制造方法，其特征在于：所述进行完第二次灰化和蚀刻的步骤之后去除阵列基板上的光刻胶。