[发明专利]闪存中过擦除存储单元的检测方法有效
| 申请号： | 200710047995.7 | 申请日： | 2007-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN101430935A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 缪威权;郑勇;张晓东;潘国华;仲海卫;乔静 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C29/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闪存 擦除 存储 单元 检测 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种闪存中过擦除存储单元的检测方法，该闪存包括数条位线和字线，其中该闪存内同一行存储单元的控制栅极连接在同一条字线上，该闪存内同一列存储单元的漏极连接在同一条位线上，其特征在于，该检测方法包括如下步骤：a.测量闪存内所有位线的漏电流，将该漏电流与基准漏电流比较，其中漏电流大于基准漏电流的位线为异常位线；b.逐一对每条字线连接的控制栅极加电压，提高该条字线连接的存储单元的阈值电压；c.每对一条字线连接的控制栅极加电压后，就对异常位线进行一次的漏电流测量，如果该漏电流小于或者等于基准漏电流，则该字线与异常位线交叉点的位置即是过擦除存储单元的地址；反之，循环执行步骤b即对下一条字线连接的控制栅极加电压。
2.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于：步骤b还包括选择一条与所述异常位线在同一擦除区域的正常位线，所述对每条字线连接的控制栅极加电压通过逐一对每条字线和正常位线交叉的存储单元进行编程实现。
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