[发明专利]金属硅化物的制备方法

权利要求书

1.一种金属硅化物的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤：

a.提供晶圆，在晶圆表面依次形成氧化层和硬掩膜；

b.在硬掩膜上涂光阻，进行曝光、显影步骤将需要形成金属硅化物区域对应的光阻去除；

c.进行干法蚀刻步骤，去除未被光阻覆盖的硬掩膜；

d.进行湿法蚀刻步骤，去除未被硬掩膜覆盖的氧化层；

e.淀积金属，金属与晶圆表面未被氧化层覆盖的硅反应形成金属硅化物。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在步骤c和d之间还包括去除剩余光阻的步骤。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤a中所述氧化层是二氧化硅，所述硬掩膜是氮化硅或者氮氧化硅。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤c还包括去除部分厚度的氧化层。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤d的湿法蚀刻步骤使用的蚀刻液是氢氟酸。