[发明专利]控制蚀刻偏差的方法有效
申请号: | 200710048000.9 | 申请日: | 2007-11-08 |
公开(公告)号: | CN101430566A | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
发明(设计)人: | 罗大杰 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G05D3/20 | 分类号: | G05D3/20;G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人: | 屈 蘅;李时云 |
地址: | 2012*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制 蚀刻 偏差 方法 | ||
1.一种控制蚀刻偏差的方法,蚀刻偏差是光刻后特定图形尺寸的大小ADI CD与蚀刻后介质层尺寸的大小AEI CD的差值;其特征在于:该方法包括建立数据库步骤和自动控制步骤,首先建立不同曝光焦距对应的不同蚀刻偏差的数据库,然后在实际工艺中可以执行自动控制的步骤,其中,
所述建立数据库的步骤包括如下子步骤:
b1.首先固定曝光能量不变,设定曝光焦距为不同的数值,再进行光刻工艺之后获取ADI CD的测量值;
b2.然后进行蚀刻工艺,并获取AEI CD测量值;
b3.根据ADI CD测量值和AEI CD测量值获取对应的蚀刻偏差;
b4.重复上述步骤b1,b2及b3,建立不同曝光焦距对应的不同蚀刻偏差的数据库;
所述自动控制步骤包括如下子步骤:
a1.先获取ADI CD的测量值和AEI CD的测量值,然后获取对应的蚀刻偏差;
a2.搜索数据库找到与该蚀刻偏差最匹配的曝光焦距;所述最匹配的曝光焦距是指取数据库中与所述获得的实际的蚀刻偏差最接近的蚀刻偏差平均值所对应的曝光焦距;
a3.将现有的曝光焦距设定为搜索到的最匹配的曝光焦距。
2.如权利要求1所述的一种控制蚀刻偏差的方法,其特征在于:采用先进工艺服务器获取ADI CD的测量值和AEI CD测量值,并计算出蚀刻偏差,并根据蚀刻偏差搜索数据库找到最匹配的曝光焦距。
3.如权利要求1所述的一种控制蚀刻偏差的方法,其特征在于:曝光机台与先进工艺服务器连接,先进工艺服务搜索到最匹配的曝光焦距反馈给曝光机台,曝光机台会设定其曝光焦距为搜索到的最匹配的曝光焦距。
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