[发明专利]制取透明功能薄膜的三元金属氧化物陶瓷靶材的制备工艺无效

专利信息
申请号: 200710048001.3 申请日: 2007-11-08
公开(公告)号: CN101182198A 公开(公告)日: 2008-05-21
发明(设计)人: 刘延辉;冯海斌;周细应 申请(专利权)人: 上海工程技术大学
主分类号: C04B35/46 分类号: C04B35/46;C04B35/50;C04B35/14;C04B35/622
代理公司: 上海三方专利事务所 代理人: 吴干权
地址: 201620上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 制取 透明 功能 薄膜 三元 金属 氧化物 陶瓷 制备 工艺
【权利要求书】:

1.一种制取透明功能薄膜的三元金属氧化物陶瓷靶材的制备工艺,其特征在于:由重量百分比为10%~50%的氧化钛,0%~60%的氧化铈,0%-55%氧化硅的三种金属氧化物粉体做为原料粉,并在原料粉中加入占原料粉总重量1%~5%的粘结剂,混合均匀后,用冷压机压制成溅射靶材坯体,然后在常压、常气氛下将坯体高温烧结成陶瓷靶材。

2.如权利要求1所述的一种制取透明功能薄膜的三元金属氧化物陶瓷靶材的制备工艺,其特征在于:所述的氧化硅、氧化钛、氧化铈为分析纯粉体,采用超声波振荡和机械研磨工艺将三者均匀混合。

3.如权利要求1所述的一种制取透明功能薄膜的三元金属氧化物陶瓷靶材的制备工艺,其特征在于:所述的粘结剂采用蒸馏水或丙酮或无水乙醇,或者上述三种的混合物。

4.如权利要求1所述的一种制取透明功能薄膜的三元金属氧化物陶瓷靶材的制备工艺,其特征在于:所述的冷压机压制压力为5-300吨.

5.如权利要求1所述的一种制取透明功能薄膜的三元金属氧化物陶瓷靶材的制备工艺,其特征在于:所述的高温烧结中的高温为1000℃-1600℃。

6.如权利要求1所述的一种制取透明功能薄膜的三元金属氧化物陶瓷靶材的制备工艺,其特征在于:烧结成的陶瓷靶材直径为60mm,厚度≤6mm。

7.如权利要求1所述的一种制取透明功能薄膜的三元金属氧化物陶瓷靶材的制备工艺,其特征在于:所述的制备工艺烧结成的陶瓷靶材应用于射频磁控溅射领域制备透明氧化物陶瓷薄膜。

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