[发明专利]三维多芯片封装模块和制作方法

权利要求书

1.一种三维多芯片封装模块，其特征在于以多层印刷电路板作为封装基板，在封装基板内部形成一个有电路图形布线的凹陷腔体，腔体内贴装芯片；在与凹陷腔体同侧的封装基板表面有回型焊球阵列作为引脚输出，在封装基板的另一表面进行球栅阵列芯片的贴装，从而形成三维多芯片封装模块。

2.按权利要求1所述的三维多芯片封装模块，其特征在于所述的腔体内贴装芯片，与封装基板表面贴装的芯片形成三维叠装的互连封装结构。

3.按权利要求1所述的三维多芯片封装模块，其特征在于封装基板的凹陷腔体内的电路图形走线，形成腔体内所贴装芯片与其他芯片之间的互连。

4.按权利要求2所述的三维多芯片封装模块，其特征在于三维叠装的互连结构是传统的引线键合工艺和芯片倒装方法及印刷电路立体走线相结合形成的。

5.制作如权利要求1-4任一项所述的三维多芯片封装模块的方法，其特征在于具体步骤是：

A)采用植球的方式制作回型球栅阵列输出引脚

a)在封装基板的回型阵列引脚焊点图形上均匀的涂覆无铅助焊膏；

b)将无铅锡球放置于已涂好助焊膏的焊点图形上；

c)已植好球的封装基板按照高温回流曲线进行回流固化；

B)采用表面贴装工艺在基板正面贴装球栅阵列芯片；

a)步骤A完成后，在封装基板的另一表面上用丝网印刷技术印刷铅锡焊膏；

b)用表面贴装的贴片机将球栅阵列芯片贴装在已涂好铅锡焊膏的焊点图形上；

c)贴装好球栅阵列芯片的封装基板再次按照低温回流曲线进行回流固化；

d)在已完成贴装的球栅阵列芯片底部用填充底料进行底部填充，加热固化；

C)采用引线键合互连工艺组装腔体内的裸芯片

a)步骤B完成后，用低温固化胶把裸芯片固化在腔体内的贴装位置上，低温加热固化；

b)已固化的芯片用引线键合工艺将芯片上的焊点与腔体内引线相连接，实现芯片与其他电路之间的电气互连；

c)用包封胶填充在腔体内，充满整个腔体，并将键合引线一起包封住，用于保护已完成引线键合的芯片。

6.按权利要求5所述的三维多芯片封装模块的制作方法，其特征在于步骤A中c)所述的回流固化曲线的峰值为290℃。

7.按权利要求5所述的三维多芯片封装模块的制作方法，其特征在于步骤B中a)和b)所述的铅锡焊膏中铅锡的质量百分比为37/63。

8.按权利要求5所述的三维多芯片封装模块的制作方法，其特征在于步骤B中c)所述的低温回流峰值为260℃。

9.按权利要求5所述的三维多芯片封装模块的制作方法，其特征在于步骤B中d)所述的加热固化温度为130℃，固化时间为1小时。

10.按权利要求5所述的三维多芯片封装模块的制作方法，其特征在于步骤C中a)所述的低温固化温度为100℃，固化时间为30分钟。