[发明专利]用共振散射光谱测定CdTe量子点粒径的方法

说明书

技术领域：

本发明涉及CdTe量子点的表征方法，具体地说是一种用共振散射光谱测定CdTe量子点粒径的方法。

背景技术：

量子点(Quantum Dots)又称半导体纳米晶体(SemiconductorNanocrystal)，是一种发光纳米颗粒，与传统的有机荧光染料相比，量子点具有激发光谱宽，且连续分布，而发射光谱呈对称分布，且宽度窄、颜色可调、光化学稳定性高、不易光解等优良的光学特性，已被用于发光二极管、纳米激光器等研究领域，而它作为荧光标识在医学、临床检验学、免疫学、生物学等研究领域中的潜在应用前景已引起国际科学界的广泛关注。目前，CdTe量子点的制备分有机溶剂相和水溶剂相两种。有机溶剂合成的CdTe量子点，其制备条件比较苛刻，成本较高，给推广应用带来了一定的困难；水相合成的半导体纳米晶体具有成本低、污染小、易批量生产等优势，不仅能直接用于生物标记，而且通过对量子点的表面进行功能修饰，也可应用于重金属离子的检测，因而水相合成倍受关注。因此，建立一种快速、简便表征CdTe量子点粒径的方法具有很高的应用价值。目前常采用X射线光电子能谱(XPS)、透射电子显微镜(TEM)、隧道显微镜(STM)、X射线衍射仪(XRD)、红外吸收光谱(FTIR)、紫外吸收光谱、荧光光谱等来表征CdTe量子点的光谱特性、形貌、晶型和结构。但尚未见用共振散射光谱法对CdTe量子点粒径进行表征的报导。

发明内容：

本发明的目的是要提供一种既操作简单、快速、成本低，又具有较好应用价值的用共振散射光谱测定CdTe量子点粒径的方法。

本发明的目的采用如下技术方案实现：

用共振散射光谱测定CdTe量子点粒径的方法，其特征是包括如下步骤：在常温下将CdTe溶液于带刻度的容器中，用亚沸高纯度水定容，定容后的溶液放入石英池中，置于荧光分光光度计上，用Volt＝500v，Ex.mono.Slit＝Em.mono.Slit＝5.0nm，同步扫描激发波长λex和发射波长λem(λex＝λem)，得到CdTe纳米微粒的同步散射光谱，即CdTe量子点粒径的共振散射光谱。因波长λ与ln(d)存在较好的线性关系，据此只要测得其共振散射峰波长，据λ＝148.37ln(d)+418.08，即可求得其粒径(d)。

本发明用共振散射光谱测定CdTe量子点粒径的方法的优点在于：

(1)操作简便、快速，只要测得CdTe量子点的共振散射峰波长λ，据λ＝148.37ln(d)+418.08，可求得其粒径(d)；(2)具有较好的应用价值。

附图说明：

图1是本发明粒径为3.8nm的CdTe量子点的共振散射光谱图；

图2是本发明粒径为4.0nm的CdTe量子点的共振散射光谱图；

图3是本发明CdTe量子点的共振散射波长与粒径的关系图。

具体实施方式：

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的描述：

一种用共振散射光谱测定CdTe量子点粒径的方法，包括如下操作步骤：

(1)移取1.0ml的1.8×10^-3mol·L^-1CdTe溶液于5.0ml带刻度的试管中，用亚沸高纯水定容至2.0ml。

(2)移取溶液于石英池中，置于荧光分光光度计上，用Volt＝500v，Ex.mono.Slit＝Em.mono.Slit＝5.0nm，同步扫描激发波长λex和发射波长λem(λex＝λem)，得到CdTe量子点的共振同步散射光谱。利用λ＝148.37ln(d)+418.08，求得CdTe量子点的粒径。

图1、2中显示：粒径为3.8nm的CdTe量子点在597nm处有一共振散射峰；而粒径为4.0nm的CdTe量子点在622nm处有一共振散射峰；结果表明，不仅共振散射波长与CdTe量子点粒径的对数存在较好的线性关系(如图3所示)，而且同一粒径的CdTe量子点，共振散射强度与CdTe量子点的浓度也有良好的线性关系。因此，测得CdTe量子点的共振散射波长，便可测得CdTe量子点的粒径。