[发明专利]一种去除金属硅中P、B杂质的新方法无效
| 申请号： | 200710049165.8 | 申请日： | 2007-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN101070159A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 刘钢;雷智;张静全;彭鑫 | 申请（专利权）人： | 成都晶硅科技有限公司;四川威玻新能源材料实验室有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610051*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 去除 金属硅 杂质 新方法 | ||
【权利要求书】：
1一种物理法提纯金属硅的方法，包括：
高频驱熔提纯方法；氩、湿氧等离子处理。
2如权利要求1所述的方法，其中高频驱熔提纯是将熔炼室抽真空，然后采用一环状水冷铜管施加高频电流，在环状铜管中心，熔融金属硅棒，熔融区缓慢移动，利用材料在冷却过程中分凝系数不同，从而到达分离Si元素与其它杂质元素的目的。
3如权利要求1所述的方法，其中在熔融区引入氩、湿氧等离子，让氧等离子与熔融金属硅表层的P、B杂质元素反应，生成P、B氧化物。
4如权利要求3所述的方法，其中氩等离子由等离子喷枪方式引入。
5如权利要求3所述的方法，其中湿氧的产生为：氧气从一盛水容器中通过携带少量水分子。湿氧经一微小管道引入到等离子喷头前的1-3mm处，进入到氩等离子喷焰中，部分形成氧等离子体。
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