[发明专利]一种二氧化锡/氧化硅纳米复合材料的制备方法无效
申请号: | 200710050519.0 | 申请日: | 2007-11-15 |
公开(公告)号: | CN101182032A | 公开(公告)日: | 2008-05-21 |
发明(设计)人: | 祖小涛;王治国;李志洁;彭强祥 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C01G19/02 | 分类号: | C01G19/02;C01B33/12 |
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地址: | 610054四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化 纳米 复合材料 制备 方法 | ||
1.一种二氧化锡/氧化硅纳米复合材料的制备方法,包括以下步骤:
步骤1.配制pH值为1.0~2.0的柠檬酸水溶液A;
步骤2.在步骤1.的柠檬酸水溶液A中加入四氯化锡,搅拌直至完全溶解,得溶液B;
步骤3.将步骤2.所得的溶液B加热至40~50℃,并加入硅源,搅拌直至完全水解,得水溶胶C;
步骤4.在步骤3.所得的水溶胶C中,在搅拌条件下,缓慢滴入氨水,直至形成氧化硅-氢氧化锡复合凝胶D;
步骤5.水热晶化反应:
将步骤4.所得的氧化硅-氢氧化锡复合凝胶D转移到聚四氟乙烯内衬的水热釜中,120~200℃下水热晶化反应6~20小时,其中发生的化学反应为:
Sn(OH)4→SnO2+2H2O
步骤6.后处理:
将水热晶化反应后的产物过滤、洗涤、烘干、研磨后,即得二氧化锡/氧化硅纳米复合材料。
2.根据权利要求1所述的二氧化锡/氧化硅纳米复合材料的制备方法,其特征在于,所述步骤3.中所采用的硅源是硅酸钠。
3.根据权利要求1所述的二氧化锡/氧化硅纳米复合材料的制备方法,其特征在于,所述步骤3.中所采用的硅源是正硅酸乙酯。
4.根据权利要求1所述的二氧化锡/氧化硅纳米复合材料的制备方法,其特征在于,所述步骤6.中对水热晶化反应后的产物进行洗涤时,采用去离子水洗涤至无氯离子。
5.根据权利要求1所述的二氧化锡/氧化硅纳米复合材料的制备方法,其特征在于,所述步骤6.中对水热晶化反应后的产物进行烘干时,温度范围在105~130℃。
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