[发明专利]一种抑制水热条件下ZnO晶体－c轴方向生长的方法无效
| 申请号： | 200710050552.3 | 申请日： | 2007-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101250746A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 左艳彬;张昌龙;卢福华;周卫宁;吕智;霍汉德;杭寅 | 申请（专利权）人： | 桂林矿产地质研究院 |
| 主分类号： | C30B7/10 | 分类号： | C30B7/10;C30B29/16 |
| 代理公司： | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 马兰 |
| 地址： | 541004广*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 条件下 zno 晶体 方向 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种抑制水热条件下ZnO晶体-c轴方向生长的方法，是在利用水热法进行ZnO晶体的生长之前，对ZnO晶体进行下述步骤的处理：
1)取ZnO晶体切割出ZnO晶片；
2)将切割好的ZnO晶片的-c面与由耐高温、耐腐蚀材料制成的阻挡片固连，得到ZnO籽晶片，所得的ZnO籽晶片即可利用水热法进行ZnO晶体的生长；所述阻挡片的面积应大于水热法进行生长后所得的ZnO晶体的-c面的面积。
2、根据权利要求1所述的抑制水热条件下ZnO晶体-c轴方向生长的方法，其特征在于：步骤2)中，所述耐高温、耐腐蚀材料为Pt，或Au，或Ag，或聚四氟乙烯，或Pt、Au、Ag之中任意两种或两种以上的合金。
3、根据权利要求1或2所述的抑制水热条件下ZnO晶体-c轴方向生长的方法，其特征在于：步骤1)中，按(0001)切向切割出ZnO晶片。
4、根据权利要求1或2所述的抑制水热条件下ZnO晶体-c轴方向生长的方法，其特征在于：步骤1)中，所述切割出的ZnO晶片厚度为1～1.2mm。
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