[发明专利]一种电子-离子混合导体材料的合成方法无效
申请号: | 200710051856.1 | 申请日: | 2007-04-12 |
公开(公告)号: | CN101054196A | 公开(公告)日: | 2007-10-17 |
发明(设计)人: | 徐庆;黄端平;张枫;陈文;刘韩星 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | C01G1/02 | 分类号: | C01G1/02;C01G51/04 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人: | 王守仁 |
地址: | 430070湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电子 离子 混合 导体 材料 合成 方法 | ||
1.一种电子—离子混合导体材料的合成方法,其特征是一种具有K2NiF4结构的La2-xSrxNi1-yMeyO4+δ体系电子—离子混合导体材料的合成方法,分子式中,Me=Co、Cu、Fe或Mn,x=0~1.5,y=0~1,δ为非化学计量氧含量;所述方法采用包括以下的步骤:
(1)前驱体溶液的制备:按照合成产物的化学计量比,将各种组成元素的碳酸盐或氢氧化物与二乙三胺五乙酸在去离子水中混合,加热搅拌,加热温度为80~100℃,搅拌时间为1~8小时,使碳酸盐或氢氧化物完全溶解,形成澄清透明的前驱体溶液;
(2)固态前驱体的制备:对所得前驱体溶液进行加热干燥,干燥温度为100~140℃,干燥时间为4~24小时,形成透明的玻璃态氨基多羧酸配合物前驱体;
(3)合成粉料的制备:对所得的固态前驱体进行热处理,热处理温度为800~1000℃,热处理时间为1~6小时,得到具有单一K2NiF4结构的超微细合成粉料。
2.根据权利要求1所述的合成方法,其特征是在前驱体溶液的制备的过程中,二乙三胺五乙酸与各种金属离子总量的摩尔比为1.6~3:3。
3.根据权利要求1所述的合成方法,其特征是在马弗炉中对所得的固态前驱体进行热处理。
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