[发明专利]一种硅/玻璃激光局部键合方法无效
申请号: | 200710052170.4 | 申请日: | 2007-05-11 |
公开(公告)号: | CN101050066A | 公开(公告)日: | 2007-10-10 |
发明(设计)人: | 史铁林;廖广兰;汤自荣;马子文;聂磊;林晓辉;彭平 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | C03C27/00 | 分类号: | C03C27/00;H01L21/02 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 | 代理人: | 方放 |
地址: | 430074湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 玻璃 激光 局部 方法 | ||
1.一种硅/玻璃激光局部键合方法,顺序包括:
(1)清洗步骤,将待键合的硅和玻璃样片浸泡到清洗液中清洗;
(2)一次活化步骤,将清洗后的硅和玻璃样片浸泡到氨基活化液中进行活化,活化后取出;
(3)二次活化步骤,将一次活化后的硅和玻璃样片浸泡到盐酸基活化液中继续活化,活化后取出;
(4)预键合步骤,将二次活化后的硅和玻璃样片吹干,在室温下迅速贴合,使之发生预键合;
(5)激光加热步骤,利用激光辐照加热,使贴合后的硅和玻璃发生局部键合。
2.如权利要求1所述的一种硅/玻璃激光局部键合方法,其特征在于:
(1)所述清洗步骤中清洗液为H2SO4与H2O2的混合溶液,清洗液温度50~150℃,清洗时间10~30分钟;
(2)所述一次活化步骤中,氨基活化液为NH4OH、H2O2和去离子H2O的混合溶液,活化温度50~90℃,活化时间10~30分钟;
(3)所述二次活化步骤中,盐酸基活化液为HCl、H2O2和去离子H2O的混合溶液,活化温度50~90℃,活化时间10~30分钟。
3.如权利要求2所述的一种硅/玻璃激光局部键合方法,其特征在于:
(1)所述清洗步骤中的H2SO4质量浓度98%、H2O2的质量浓度30%,体积比H2SO4∶H2O2=2~4∶1;
(2)所述一次活化步骤中,NH4OH的质量浓度25%、H2O2的质量浓度30%,体积比NH4OH∶H2O2∶H2O=1~3∶1∶3~8;
(3)所述二次活化步骤中,HCl的质量浓度40%、H2O2的质量浓度30%,体积比HCl∶H2O2∶H2O=1~3∶1∶3~8。
4.如权利要求1、2或3所述的一种硅/玻璃激光局部键合方法,其特征在于:所述激光加热步骤中,激光功率25~100W,扫描速度0.5~20mm/s。
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