[发明专利]积分数据接收方法及接收器有效
申请号: | 200710052238.9 | 申请日: | 2007-05-24 |
公开(公告)号: | CN101312344A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
发明(设计)人: | 敖海;由红 | 申请(专利权)人: | 武汉芯动科技有限公司 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175;H03M9/00 |
代理公司: | 武汉宇晨专利事务所 | 代理人: | 王敏锋 |
地址: | 430079湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 积分 数据 接收 方法 接收器 | ||
1.一种积分数据接收方法,其步骤是:
A.在一个时钟信号响应内,积分并放大N对输入差分/或单端信号,其中N为自然数并在一个时钟信号响应内输出至少一对差分信号的积分结果,是在一个时钟信号周期内的第一阶段将至少一对差分信号的电平预充至电源电压,在一个时钟信号周期内的第二阶段将输入数据信号的差值进行积分,并将积分结果输出;
B.在一个时钟信号响应内,检测并放大至少一对输入差分/或单端信号的积分结果,并将其作为检测到的数据值锁存输出,是在一个时钟信号周期内的第二阶段将至少一对输入差分/或单端信号的积分结果检测放大,并在一个时钟信号周期内的第一阶段将放大信号锁存输出。
2.一种积分数据接收器,它包括第一级积分电路(11)和第二级检测放大电路(12)两部分,其特征在于:
A.第一级积分电路(11),包括积分元件(21)、充电元件(22)和放电元件(23),以及相应的控制信号,用以接收N对输入的差分/或单端数据信号并将其差值积分;其中N为自然数,积分元件(21)的结构关系为:第一电容C1的一端和第二电容C2的一端连接均在电源电压VDD上,第一电容C1的另一端连接在节点201上,第二电容C2的另一端连接在节点202上;充电元件(22)的结构关系为:第一P沟道型MOS晶体管MP1和第二P沟道型MOS晶体管MP2的源端均连接到电源电压VDD上,第一P沟道型MOS晶体管MP1的漏端连接在节点201上,第二P沟道型MOS晶体管MP2的漏端连接在节点202上,第三P沟道型MOS晶体管MP3的源漏两端分别连接在节点201和节点202上,第一、二和第三P沟道型MOS晶体管MP1、MP2和MP3的栅端连接在反相器24的输出端上,反相器(24)的输入端连接在输入端子STROBE上;放电元件(23)的结构关系为:第一N沟道型MOS晶体管MN1和第二N沟道型MOS晶体管MN2的源端均连接在节点203上,第一N沟道型MOS晶体管MN1的漏端连接在节点201上,第二N沟道型MOS晶体管MN2的漏端连接在节点202上,第一N沟道型MOS晶体管MN1的栅端连接在输入端子DATA上,第二N沟道型MOS晶体管MN2的栅端连接在输入端子DATAB上,第三至第六N沟道型MOS晶体管MN3~MN6的漏端连接在节点203上,第三至第六N沟道型MOS晶体管MN3~MN6的源端分别连接在第七至第十N沟道型MOS晶体管MN7~MN10的漏端上,第七至第十N沟道型MOS晶体管MN7~MN10的源端连接在地节点VSS上,第三至第六N沟道型MOS晶体管MN3~MN6的栅端连接在四位控制总线CONTROL上,第七至第十N沟道型MOS晶体管MN7~MN10的栅端连接在反相器(24)的输出端上;
B.第二级检测放大电路(12),包括检测放大元件(31)和锁存输出元件(32)两部分,检测放大元件(31)的输入连接到所述第一级积分电路(11)的输出上,用以检测放大第一级的积分结果;锁存输出元件(32)的输入连接在检测放大元件(31)的输出上,用以将检测放大结果锁存输出;其中,检测放大元件(31)的结构关系为:第一至第四P沟道型MOS晶体管MP1~MP4的源端连接在电源电压VDD上,第一、三P沟道型MOS晶体管MP1、MP3的漏端以及第二P沟道型MOS晶体管MP2的栅端连接在节点310上,第二、四P沟道型MOS晶体管MP2、MP4的漏端以及第一P沟道型MOS晶体管MP1的栅端连接在节点311上,第五P沟道型MOS晶体管MP5的漏端和源端分别接在节点310和节点311上,第一N沟道型MOS晶体管MN1的栅端和第二N沟道型MOS晶体管MN2的漏端连接在节点311上,第一N沟道型MOS晶体管MN1的漏端和第二N沟道型MOS晶体管MN2的栅端连接在节点310上,第一N沟道型MOS晶体管MN1的源端和第三N沟道型MOS晶体管MN3的漏端连接在节点312上,第二N沟道型MOS晶体管MN2的源端和第四N沟道型MOS晶体管MN4的漏端连接在节点313上,第三、四N沟道型MOS晶体管MN3、MN4的源端和第五N沟道型MOS晶体管MN5的漏端连接在节点314上,第五N沟道型MOS晶体管MN5的源端连接在地节点VSS上,第三至第五P沟道型MOS晶体管MP3~MP5和第五N沟道型MOS晶体管MN5的栅端连接在输入端子STROBE上;第三N沟道型MOS晶体管MN3的栅端连接在输入端子DATA上,第四N沟道型MOS晶体管MN4的栅端连接在输入端子DATAB上,锁存输出元件(32)的结构关系为:第六至九P沟道型MOS晶体管MP6~MP9的源端连接在电源电压VDD上,第六、八P沟道型MOS晶体管MP6和MP8的漏端以及第九P沟道型MOS晶体管MP9的栅端连接在节点320上,第七、九P沟道型MOS晶体管MP7和MP9的漏端以及第八P沟道型MOS晶体管MP8的栅端连接在节点321上,第六、八N沟道型MOS晶体管MN6、MN8的漏端以及第九N沟道型MOS晶体管MN9的源端连接在节点320上,第七、九N沟道型MOS晶体管MN7、MN9的漏端以及第八N沟道型MOS晶体管MN8的栅端连接在节点321上,第六P沟道型MOS晶体管MP6的栅端连接在节点311上,第七P沟道型MOS晶体管MP7的栅端连接在节点310上,反相器INV1的输入端连接到节点310上而输出端连接到第六N沟道型MOS晶体管MN6的栅端,反相器INV2的输入端连接在节点311上而输出端连接在第七N沟道型MOS晶体管MN7的栅端;节点320连接到输出端子OUTB上,节点321连接到输出端子OUT上。
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