[发明专利]栅控多斜阴极结构的平板显示器及其制作工艺无效
申请号: | 200710054615.2 | 申请日: | 2007-06-19 |
公开(公告)号: | CN101071732A | 公开(公告)日: | 2007-11-14 |
发明(设计)人: | 李玉魁 | 申请(专利权)人: | 中原工学院 |
主分类号: | H01J31/12 | 分类号: | H01J31/12;H01J31/15;H01J29/02;H01J29/04;H01J1/304;H01J1/46;H01J9/02;H01J9/00 |
代理公司: | 郑州科维专利代理有限公司 | 代理人: | 张欣棠;张国文 |
地址: | 451191河南省郑*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 栅控多斜 阴极 结构 平板 显示器 及其 制作 工艺 | ||
技术领域
本发明属于平板显示技术领域、微电子科学与技术领域、真空科学与技术领域以及纳米科学与技术领域的相互交叉领域,涉及到平板场致发射显示器的器件制作,具体涉及到碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作方面的内容,特别涉及一种栅控多斜阴极结构的平板显示器及其制作工艺。
背景技术
利用碳纳米管作为阴极材料而制作的场致发射平板显示器件具有重量轻、功耗小、体积小、大屏幕等特点,其工作原理和阴极射线管显示器几乎完全相同,因此具有传统阴极射线管显示器的高图像质量。目前,场致发射显示器的研发和生产都得到了迅猛的发展,已经在军事等相关部门开始实际应用。未来的场致发射平板显示器将向高亮度、高分辨率、全彩色和大尺寸方向发展。
为了降低总体器件成本,以便于和常规的集成驱动电路相联系,制作三极结构的场致发射显示器已经成为了一种必然的选择。目前,在大多数的显示器中都采用栅极结构位于碳纳米管阴极结构上方的结构形式。这种结构形式的制作工艺相对比较简单,栅极结构的控制作用显著,但所形成的栅极电流比较大,栅极工作电压也比较高,需要加以改进。进一步降低栅极结构的工作电压,这是符合低压平板器件的质量体系要求的。一方面要尽可能的缩减栅极结构和碳纳米管阴极结构之间的距离,达到降低栅极电压的目的,另一方面也可以对碳纳米管阴极的表面形状加以改进,以便于能够在较低的电场强度下就能够发射出大量的电子,这也间接的能够降低栅极结构的工作电压。另外,为了进一步提高整体器件的显示亮度,这就需要尽可能多的碳纳米管阴极来发射电子,需要增大碳纳米管阴极的电子发射面积以及提高碳纳米管的电子发射效率,这些都需要在实际器件制作过程中采取切实可靠的措施来达到。那么,在实际器件的制作过程中,如何进一步的降低栅极的工作电压,如何进一步的增强碳纳米管阴极表面顶端的电场强度,这些都是值得认真考虑的问题。
此外,在三极结构的平板场致发射显示器件当中,在确保栅极结构对碳纳米管阴极具有良好控制作用的前提下,还需要尽可能的降低总体器件成本,进行稳定可靠、成本低廉、性能优良、高质量的器件制作。
发明内容
本发明的目的在于克服上述平板显示器件中存在的缺点和不足而提供一种成本低廉、制作过程稳定可靠、制作成功率高、结构简单的栅控多斜阴极结构的平板显示器及其制作工艺。
本发明的目的是这样实现的,包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔;在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层;位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件,在阴极玻璃面板上设置有栅极引线层、碳纳米管以及栅控多斜阴极结构。
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