[发明专利]双叉型侧控阴极发射结构的平板显示器及其制作工艺无效
申请号: | 200710054624.1 | 申请日: | 2007-06-19 |
公开(公告)号: | CN101093775A | 公开(公告)日: | 2007-12-26 |
发明(设计)人: | 李玉魁 | 申请(专利权)人: | 中原工学院 |
主分类号: | H01J31/12 | 分类号: | H01J31/12;H01J31/15;H01J29/02;H01J29/04;H01J1/304;H01J1/46;H01J9/02;H01J9/00 |
代理公司: | 郑州科维专利代理有限公司 | 代理人: | 张欣棠;张国文 |
地址: | 451191河南省郑*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双叉型侧控 阴极 发射 结构 平板 显示器 及其 制作 工艺 | ||
技术领域
本发明属于平板显示技术领域、微电子科学与技术领域、真空科学与技术领域以及纳米科学与技术领域的相互交叉领域,涉及到平板场致发射显示器的器件制作,具体涉及到碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作方面的内容,特别涉及一种双叉型侧控阴极发射结构的平板显示器及其制作工艺。
背景技术
碳纳米管场致发射显示器是一种新型的平面显示设备,它利用碳纳米管作为阴极材料,而取代了传统阴极射线管显示器中的热电子枪,从而无延迟时间,响应速度更快。从碳纳米管阴极发射的电子在阳极高电压的作用下加速向阳极运动,轰击荧光粉层而发出可见光,这种发光原理与阴极射线管显示器的发光原理相似,因此它完全继承了阴极射线管显示器的高清晰显示图像质量。与液晶显示器相比较,无论从显示器尺寸、显示亮度等方面,碳纳米管场致发射显示器都更具有优势,是理想的下一代平板器件产品。
在目前所报道的大多数碳纳米管阴极场致发射显示器件当中,都采用了栅极结构位于碳纳米管阴极结构上方的控制模式。由于受到栅极结构制作工艺及制作材料等因素的制约,这些显示器普遍都存在着栅极电压过高,显示器件的亮度低,碳纳米管阴极的发射效率不高等不利之处,而碳纳米管阴极对于显示图像质量的影响作用也是不可忽视的。由于栅极结构和碳纳米管阴极结构之间的绝缘材料具有一定的绝缘等级,一旦超过限度就会发生电学击穿现象,因此缩减二者之间的距离从而降低栅极工作电压的做法是受到一定程度限制的。由于从碳纳米管阴极发射的电子束要经过栅极结构以后才能够轰击荧光粉层,因此碳纳米管阴极的发射面积无法制作的更大,否则容易造成栅极失控,这也就意味着碳纳米管阴极的有效电子发射面积是固定的,也就限制了进一步提高器件的显示亮度。而这些问题都需要进一步的加以改进和解决。此外,在三极结构的平板场致发射显示器件当中,在确保栅极结构对碳纳米管阴极具有良好控制作用的前提下,还需要尽可能的降低总体器件成本,进行稳定可靠、成本低廉、性能优良、高质量的器件制作。
发明内容
本发明的目的在于克服上述平板显示器件中存在的缺点和不足而提供一种成本低廉、制作过程稳定可靠、制作成功率高、结构简单的双叉型侧控阴极发射结构的平板显示器及其制作工艺。
本发明的目的是这样实现的,包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔;设置在阳极玻璃面板上的阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层;位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件;在阴极玻璃面板上设置有栅极引线层、碳纳米管以及双叉型侧控阴极发射结构。
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