[发明专利]环带下栅控发射结构的平板显示器及其制作工艺无效
申请号: | 200710054633.0 | 申请日: | 2007-06-20 |
公开(公告)号: | CN101071746A | 公开(公告)日: | 2007-11-14 |
发明(设计)人: | 李玉魁 | 申请(专利权)人: | 中原工学院 |
主分类号: | H01J31/12 | 分类号: | H01J31/12;H01J31/15;H01J29/02;H01J29/04;H01J1/304;H01J1/46;H01J9/02;H01J9/00 |
代理公司: | 郑州科维专利代理有限公司 | 代理人: | 张欣棠;张国文 |
地址: | 451191河南省郑*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 环带 下栅控 发射 结构 平板 显示器 及其 制作 工艺 | ||
技术领域
本发明属于平板显示技术领域、微电子科学与技术领域、真空科学与技术领域以及纳米科学与技术领域的相互交叉领域,涉及到平板场致发射显示器的器件制作,具体涉及到碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作方面的内容,特别涉及一种环带下栅控发射结构的平板显示器及其制作工艺。
背景技术
碳纳米管是一种呈现空心小管状的石墨层卷曲结构的物质,具有小的尖端曲率半径,高的纵横比率,在外加电场强度的作用下能够发射出大量的电子,形成冷场致发射现象,是一种性能优秀的冷阴极制作材料。利用碳纳米管的这一性质,进行了场致发射平板显示器的器件研制。碳纳米管阴极的场致发射平板显示器是一种新型的平面显示设备,具有高亮度、高清晰度、高分辨率、功耗低、视角宽、响应速度快等诸多特点,早已引起了众多科研人员的高度关注,并已经成为了国际平板显示领域的热门话题。
在三极结构的场致发射显示器件中,栅极结构是不可或缺的重要组成部分之一,它直接控制并决定着碳纳米管阴极的电子发射。然而,在目前所研制的大多数显示器件当中,普遍存在着栅极电压居高不下的缺点,形成了一个非常难以克服的课题。虽然进一步降低栅极结构和碳纳米管阴极结构之间的距离,能够有效的降低栅极工作电压,而这还要受到绝缘材料的材料属性、制作工艺等各种因素的制约,不可能无限制的缩减距离,否则容易造成电学击穿现象的发生。同时,栅极结构和碳纳米管阴极之间的旁路电容效应以及极间电容效应也是不可忽略的重要因素,如果旁路电容以及极间电容过大,不仅会造成整体器件的工作频率下降,而且还由于电容的电荷储存效应,对绝缘材料的绝缘等级提出更高的要求,造成器件整体成本的上升。此外,还要尽可能的让更多的碳纳米管阴极发射电子,以确保整体器件的显示亮度。而对于这些所提到的问题,目前还没有一个比较完美的解决办法。
此外,在三极结构的平板场致发射显示器件当中,在确保栅极结构对碳纳米管阴极具有良好控制作用的前提下,还需要尽可能的降低总体器件成本,进行稳定可靠、成本低廉、性能优良、高质量的器件制作。
发明内容
本发明的目的在于克服上述平板显示器件中存在的缺点和不足而提供一种成本低廉、制作过程稳定可靠、制作成功率高、结构简单的带有一种环带下栅控发射结构的平板显示器及其制作工艺。
本发明的目的是这样实现的,包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔;在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层;位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件;在阴极玻璃面板上有栅极引线层、碳纳米管以及环带下栅控发射结构。
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