[发明专利]斜栅控凹弧椎型阴极结构的平板显示器及其制作工艺无效

专利信息
申请号: 200710054635.X 申请日: 2007-06-20
公开(公告)号: CN101071748A 公开(公告)日: 2007-11-14
发明(设计)人: 李玉魁 申请(专利权)人: 中原工学院
主分类号: H01J31/12 分类号: H01J31/12;H01J31/15;H01J29/02;H01J29/04;H01J1/304;H01J1/46;H01J9/02;H01J9/00
代理公司: 郑州科维专利代理有限公司 代理人: 张欣棠;张国文
地址: 451191河南省郑*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 斜栅控凹弧椎型 阴极 结构 平板 显示器 及其 制作 工艺
【说明书】:

技术领域

发明属于平板显示技术领域、微电子科学与技术领域、真空科学与技术领域以及纳米科学与技术领域的相互交叉领域,涉及到平板场致发射显示器的器件制作,具体涉及到碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作方面的内容,特别涉及一种斜栅控凹弧椎型阴极结构的平板显示器及其制作工艺。

背景技术

碳纳米管阴极场致发射显示器是利用场致发射电子轰击荧光粉层进行发光的矩阵显示技术设备,其原理与阴极射线管显示器的原理大致相同。碳纳米管是一种石墨层卷曲的小管状结构,在外加电场强度的作用下能够发射出大量电子,是一种性能优异的冷阴极材料。由于只要电场强度达到要求以后碳纳米管就能够发射电子,不需要额外的能量供应,因此利用这种材料制作的显示器的响应速度更快。场致发射显示器兼顾具有阴极射线管显示器和液晶显示器两者的主要优点,同时又克服可二者固有的缺点,在复杂性成本和功耗等方面也比前两者要低,这些因素可使场致发射显示器发展成为所期望的最佳显示技术。

目前,在所报道的三极结构碳纳米管阴极场致发射显示器件当中,普遍都存在着栅极电压居高不下,显示器件的亮度不高,栅极电流过于偏大,栅极-阴极之间的电容效应过于显著等缺点,还需要进一步的加以研究和解决。其中,碳纳米管阴极对于显示器件图像的影响作用是不可忽视的。目前的显示器件中,碳纳米管阴极的有效电子发射面积比较小,而且还不能够进行扩大,而所发射的部分电子被栅极结构所截留,既导致栅极电流过于偏大,又导致阳极电流不足而显示亮度降低。因此对于原有的器件结构需要进行改进,既要增大碳纳米管阴极的有效发射面积,同时还要提高碳纳米管阴极的电子发射效率,来增强器件的显示亮度。而对于这些方面还没有比较好的解决方案。需要科研人员认真的思考并加以解决。

此外,在三极结构的平板场致发射显示器件当中,在确保栅极结构对碳纳米管阴极具有良好控制作用的前提下,还需要尽可能的降低总体器件成本,进行稳定可靠、成本低廉、性能优良、高质量的器件制作。

发明内容

本发明的目的在于克服上述平板显示器件中存在的缺点和不足而提供一种成本低廉、制作过程稳定可靠、制作成功率高、结构简单的带有一种斜栅控凹弧椎型阴极结构的平板显示器及其制作工艺。

本发明的目的是这样实现的,包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔;在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层;位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件;在阴极玻璃面板上有栅极引线层、碳纳米管以及斜栅控凹弧椎型阴极结构。

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