[发明专利]一种电解包覆羟基氧化钴层的氢氧化镍的方法无效
| 申请号： | 200710054761.5 | 申请日： | 2007-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN101117725A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 常照荣;上官恩波;吴锋;汤宏伟;程迪;徐拥军;尹正中 | 申请（专利权）人： | 河南师范大学;河南新飞科隆电源有限公司 |
| 主分类号： | C25D11/00 | 分类号： | C25D11/00;B22F1/02;H01M4/04;H01M4/52 |
| 代理公司： | 新乡市平原专利有限责任公司 | 代理人： | 毋致善 |
| 地址： | 453007河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电解 羟基 氧化钴 氢氧化 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种电解包覆羟基氧化钴层的氢氧化镍的方法，其特征在于：用锂离子电池用的隔膜或碱性电池用的隔膜将电解槽分隔成阳极室和阴极室，由钛基二氧化铅的阳极和惰性材料制成的阴极分别放入设有碱金属氯化物碱性电解液的阳极室和阴极室内，将包覆Co(OH)2的Ni(OH)2加入阳极室内，用NaOH调至碱性，在1.5-10伏恒压、室温以及搅拌下电解生成羟基氧化钴层的氢氧化镍。
2.如权利要求1的一种电解包覆羟基氧化钴层的氢氧化镍的方法，其特征在于：对制成的羟基氧化钴层的氢氧化镍进行过滤、洗涤、烘干制成羟基氧化钴层的氢氧化镍。
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