[发明专利]一种合成超小尺寸CdSe和CdTe纳米晶的方法无效
| 申请号： | 200710055496.2 | 申请日： | 2007-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN101074493A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 戴全钦;邹广田;李冬妹;邹勃;阚世海;陈海勇 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 合成 尺寸 cdse cdte 纳米 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种合成CdSe和CdTe纳米晶的方法，其特征在于，工艺过程分为Se或Te溶液的制备、Cd溶液的制备和纳米晶的合成；所说的Se或Te溶液的制备是，将Se粉或Te粉与三辛基磷混合在惰性气体保护下常温搅拌1-3小时，Se粉或Te粉加入量为0.02-0.08mol/kg；所说的Cd溶液的制备是，将CdO粉、油酸和苯基醚装入容器，在氩气或氮气气氛下搅拌并加热使形成透明的Cd溶液，加入油酸的量为0.1-1.5mol/kg；Se或Te粉与CdO粉的摩尔比为0.2-5，Se或Te溶液与Cd溶液的质量比为0.2-1；所说的纳米晶的合成是，在注射温度130-250℃下将Se或Te溶液注射进Cd溶液，同时降温至生长温度100-220℃，在生长温度下合成0.2-300分钟，制得尺寸为1-2nm的CdSe或CdTe纳米晶。
2.按照权利要求1所述的合成CdSe和CdTe纳米晶的方法，其特征在于，通过在空气搁置实现CdSe纳米晶的尺寸在1-2nm的范围内连续可调，搁置时间在0-20个月。
3.按照权利要求1或2所述的合成CdSe和CdTe纳米晶的方法，其特征在于，所说的纳米晶的合成过程中，注射温度比生长温度高15-45℃。
4.按照权利要求1或2所述的合成CdSe和CdTe纳米晶的方法，其特征在于，加入油酸的量为0.15-0.75mol/kg。
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