[发明专利]生产高纯硅的新材料及工艺无效
| 申请号： | 200710055956.1 | 申请日： | 2007-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN101367522A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 侯振海 | 申请（专利权）人： | 侯振海;肖世平 |
| 主分类号： | C01B33/025 | 分类号： | C01B33/025 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 134600*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生产 高纯 新材料 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.生产高纯硅的新方法，其特征是：
(1)、用纳米高纯二氧化硅粉和纳米高纯碳粉混合焦化；
(2)、将焦化物投入电弧炉直接冶炼；
(3)、辅助炉外精炼。
2.根据权利1.1所述的用纳米高纯二氧化硅粉(专利：200710055572.X)和纳米高纯碳粉(专利：200710055571.5)混合焦化，其特征是：
物料摩尔配比为：纳米高纯二氧化硅：纳米高纯碳＝1：2。焦化温度150～200℃。
3.根据权利1.2所述的用将焦化物投入电弧炉直接冶炼，其特征是：
冶炼温度：1600～1700℃。
4.根据权利1.3所述的辅助炉外精炼，其特征是：
絮凝精炼、钡盐精炼、熔剂精炼、氧化精炼、化学除杂、真空熔炼、真空脱气、定向凝固，得到各种等级的硅产品。
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