[发明专利]刻蚀顶端非掺杂本征层非对称金属膜垂直腔面发射激光器

权利要求书

1.一种刻蚀顶端非掺杂本征层非对称金属膜垂直腔面发射激光器，包括上、下分布的布拉格反射镜，高阻层，势垒层，电极，衬底，量子阱有源区及空间层，其特征在于：

上表面有刻蚀的圆形金属反射膜(1)、刻蚀的金属膜导线(2)以及刻蚀的金属膜与上电极的接触层和上电极(3)；上电极的接触层和上电极(3)下方依次为：刻蚀圆孔的非掺杂本征高阻层(4)、p+型接触层(5)，p型布拉格反射镜(6)、量子阱有源区及空间层(7)、n型布拉格反射镜(8)、过渡层及衬底(9)；在衬底(9)的下表面刻蚀的圆形金属反射膜(10)、下表面刻蚀的金属膜导线(11)、下表面电极(12)。

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于所述的上表面的圆形金属反射膜(1)的半径为4～8微米。

3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于所述的非掺杂本征高阻层(4)的圆孔半径为1～2微米。

4.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于所述的衬底下表面刻蚀的圆形金属反射膜(10)的半径为1～2微米。

5.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于上表面刻蚀的导线、电极接触层与下表面刻蚀的导线、电极接触层位置投影左右分开，成非对称结构。

6.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：

1)在半导体衬底上使用MBE或MOCVD，温度为500℃-800℃依次地生长n型布拉格反射镜、量子阱有源区、p型布拉格反射镜、p+型接触层和非掺杂本征高阻层；

2)非掺杂AlAs本征高阻层中通过光刻方法刻出圆形孔；

3)400℃镀薄的金属膜p+型接触层使用Pt-Ti-Au金属膜、n+型衬底上使用Au-Ge-Ni金属膜；

4)通过离子束刻蚀上、下金属膜形成圆形金属膜、导线和电极接触层；

5)芯片划成单个激光器单元，形成单个激光器管芯，或成二维面阵；

6)器件封装。

7.根据权利要求6所述的垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于所述的衬底是GaAs。