[发明专利]硅整流器件的电泳法玻璃钝化工艺有效
申请号: | 200710057091.2 | 申请日: | 2007-04-06 |
公开(公告)号: | CN101055839A | 公开(公告)日: | 2007-10-17 |
发明(设计)人: | 王道强;孙志昌;初亚东;杜春倩;周皓;王晓捧 | 申请(专利权)人: | 天津中环半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/18 | 分类号: | H01L21/18;H01L21/316;H01L21/308;C03C17/00;C03C15/00;C03C17/02 |
代理公司: | 天津中环专利商标代理有限公司 | 代理人: | 胡京生 |
地址: | 300384天津市新技术产*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅整流器 电泳 玻璃 钝化 工艺 | ||
1.一种硅整流器件的玻璃钝化方法,该方法包括以下工艺步骤:
(1).将扩散后硅片在高温1120℃下分别通干氧、湿氧、干氧,生成氧化膜;
(2).再将氧化后硅片进行包括涂胶、前烘、曝光、显影以及坚膜的光刻过程,做好光刻图形;
(3).将硝酸、氢氟酸、乙酸按以下比例配制成混酸腐蚀液:
硝酸: 30~65%
氢氟酸: 15~30%
乙酸: 10~45%
然后将光刻后的硅片放入所述混酸腐蚀液中进行腐蚀,刻蚀出PN结沟槽,并去胶清洗;
(4).配制电泳液:将丙酮、玻璃粉、硝酸按照以下比例配制成电泳液:
丙酮: 80~97%
玻璃粉: 2~19%
硝酸: 0.005~1%
(5).将装有电泳液的石英方杯放置在电泳装置中,启动超声波进行超声15min,再进行电泳5min的电泳处理,使玻璃粉沉积到硅片的沟槽中;
(6).将电泳后的硅片在温度为820℃的氧气氛围下进行玻璃烧成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造