[发明专利]硅片研磨表面粗糙度控制方法无效
| 申请号： | 200710057423.7 | 申请日： | 2007-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101310926A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 仲跻和;李家荣;吴亮 | 申请（专利权）人： | 天津晶岭电子材料科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;H01L21/304;C09K3/14;B24B29/00 |
| 代理公司： | 天津三元专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 胡婉明 |
| 地址： | 300385天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 研磨 表面 粗糙 控制 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种硅片研磨表面粗糙度控制方法，包括在研磨机研磨盘其间设置的承载载具上放置硅片，向研磨盘和硅片间加注研磨液，启动研磨机，通过研磨液和磨盘的共同作用，对硅片进行磨削；其特征在于，所述研磨液中添加活性剂；所述研磨工序前增加使用活性剂浸润研磨盘步骤，研磨工序完成后增加水磨步骤。
2、根据权利要求1所述的硅片研磨表面粗糙度控制方法，其特征在于，所述研磨液中添加的活性剂是非离子表面活性剂，该非离子表面活性剂的添加比例是研磨液重量的0.5％至10％。
3、根据权利要求2所述的硅片研磨表面粗糙度控制方法，其特征在于，所述非离子表面活性剂是聚氧乙烯系非离子表面活性剂、多元醇酯类非离子表面活性剂和高分子及元素有机系非离子表面活性剂中的一种或几种组合。
4、根据权利要求1所述的硅片研磨表面粗糙度控制方法，其特征在于，所述研磨工序前增加使用活性剂浸润研磨盘步骤是将活性剂喷淋在研磨盘上，浸润数分钟。
5、根据权利要求1所述的硅片研磨表面粗糙度控制方法，其特征在于，所述研磨工序完成后增加水磨步骤是用去离子水代替研磨液研磨数分钟，再停机。
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