[发明专利]一种与标准CMOS工艺完全兼容的片上光波导及其制备方法无效
| 申请号： | 200710057866.6 | 申请日： | 2007-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101082687A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 陈铭义;周赫;付兴;潘续东;姜楠 | 申请（专利权）人： | 陈铭义;周赫;付兴;潘续东;姜楠 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/13 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 江镇华 |
| 地址： | 300072天*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 标准 cmos 工艺 完全 兼容 上光 波导 及其 制备 方法 | ||
1.一种与标准CMOS工艺完全兼容的片上光波导，其特征是，所述光波导设置有包层，所述包层内设置有芯层。
2.根据权利要求1所述的与标准CMOS工艺完全兼容的片上光波导，其特征是，所述包层，由重掺杂的N+埋层，重掺杂的深N阱，氧化层和钝化层构成。
3.根据权利要求1所述的与标准CMOS工艺完全兼容的片上光波导，其特征是，所述芯层，由轻掺杂的P+外延层构成。
4.根据权利要求1所述的与标准CMOS工艺完全兼容的片上光波导，其特征是，所述光波导呈脊形结构。
5.一种与标准CMOS工艺完全兼容的片上光波导的制备方法，其特征是，由以下步骤构成：
①在P型硅衬底上，首先通过N+离子注入，形成重掺杂的N+埋层；
②然后通过等离子溅射，在N+埋层上方生长一层轻掺杂的P+外延层，
利用氮化硅掩蔽和离子注入，在P+外延层上形成两个重掺杂的深N阱；
③接着在整个硅片上方生长氧化层；
④最后在整个硅片上方生长钝化层。
6.根据权利要求5所述的与标准CMOS工艺完全兼容的片上光波导的制备方法，其特征是，所述重掺杂的N+埋层，重掺杂的深N阱，氧化层和钝化层构成包层。
7.根据权利要求5所述的与标准CMOS工艺完全兼容的片上光波导的制备方法，其特征是，所述轻掺杂的P+外延层构成芯层。
8.根据权利要求5所述的与标准CMOS工艺完全兼容的片上光波导的制备方法，其特征是，所述光波导呈脊形结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陈铭义;周赫;付兴;潘续东;姜楠，未经陈铭义;周赫;付兴;潘续东;姜楠许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710057866.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
