[发明专利]硅片研磨表面划伤控制方法无效
申请号: | 200710058751.9 | 申请日: | 2007-08-15 |
公开(公告)号: | CN101367193A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 仲跻和 | 申请(专利权)人: | 江苏海迅实业集团股份有限公司 |
主分类号: | B24B37/04 | 分类号: | B24B37/04;B24B29/00;B24B1/00;C09G1/02;C09K3/14;H01L21/304 |
代理公司: | 天津三元专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 胡婉明 |
地址: | 226600江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 研磨 表面 划伤 控制 方法 | ||
1.一种硅片研磨表面划伤控制方法,包括将被研磨硅片夹持到研磨机的研磨盘上,将研磨液供给到被研硅片表面,对研磨机施加压力,并控制研磨机的研磨盘转动,而对被研磨物表面进行研磨;其特征在于:所述研磨液包括磨料、渗透剂、PH调节剂、表面活性剂、螯合剂和去离子水;所述研磨机上的研磨压力控制在75kPa以下,并控制上磨盘的转速为200rpm以下,下磨盘的转速为200rpm以下。
2.根据权利要求1所述的硅片研磨表面划伤控制方法,其特征在于:所述研磨液包括磨料、渗透剂、PH调节剂、表面活性剂、螯合剂和去离子水,各种成分所占的质量百分比是:磨料为15.0%至30.0%;渗透剂为3%至5%;PH调节剂为5%至15%;表面活性剂为0.1%至1.0%;螯合剂为1%至3%;去离子水为余量。
3.根据权利要求2所述的硅片研磨表面划伤控制方法,其特征在于:所述磨料是粒径为100至150纳米的二氧化硅(SiO2)、粒径为2至5微米的二氧化铈(CeO2)、粒径为3至6微米的二氧化钛(TiO2)或粒径为4至8微米的碳化硼;所述渗透剂为聚氧乙烯醚(JFC)或磷酸酯;所述PH调节剂为无机碱或有机碱;所述螯合剂为乙二胺四乙酸(EDTA)、乙二胺四乙酸二钠盐(EDTA二钠)、羟胺和胺中的一种或其组合。
4.根据权利要求3所述的硅片研磨表面划伤控制方法,其特征在于:所述有机碱是胺或羟胺中的一种或它们的组合;所述胺是乙二胺;所述羟胺是三乙醇胺、四羟基乙基乙二胺、六羟基丙基丙二胺或四甲基氢氧化铵;所述无机碱是氨水、氢氧化钠或氢氧化钾。
5.根据权利要求1所述的硅片研磨表面划伤控制方法,其特征在于:所述表面活性剂是非离子型表面活性剂,该非离子型表面活性剂是脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基醇酰胺或者是二者的混合物;所述脂肪醇聚氧乙烯醚是聚合度为20的脂肪醇聚氧乙烯醚(O-20)或者聚合度为25的脂肪醇聚氧乙烯醚(O-25);所述烷基醇酰胺是月桂酰单乙醇胺。
6.根据权利要求1所述的硅片研磨表面划伤控制方法,其特征在于:所述研磨机的研磨压力优选为50kPa以下,施加过程中由0匀速加至所需压力,保持稳定,在稳定的压力下进行研磨。
7.根据权利要求1所述的硅片研磨表面划伤控制方法,其特征在于:所述研磨机上研磨盘的转速优选为100至150rpm,下研磨盘的转速优选为100至150rpm。
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