[发明专利]具有相变特性二氧化钒纳米薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种具有相变特性二氧化钒纳米薄膜的制备方法，用于在硅基片上制作二氧化钒纳米薄膜，其特征在于包括下列步骤：

1)硅基片表面清洗；

2)采用等离子体增强化学气相沉积方法在硅基片上生长二氧化硅薄膜或氮化硅薄膜；

3)以金属钒作为靶材，采用对靶反应磁控溅射法，在上述二氧化硅/硅基片或氮化硅/硅基片上沉积氧化钒薄膜；

4)将制得的氧化钒/二氧化硅/硅复合薄膜或氧化钒/氮化硅/硅复合薄膜置于已达到所需退火温度的退火装置中，在空气气氛下进行退火，退火温度为300-400℃，退火时间为1-3小时。

2.根据权利要求1所述的具有相变特性二氧化钒纳米薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2)包括下列步骤：先将处理好的硅基片置于真空室，基片温度为130℃-160℃，工作气体为NO₂和SiH₄，工作气体压强为3-5Pa，气流量比为1∶2～1∶3，淀积时间为10-15分钟。

3.根据权利要求1所述的具有相变特性二氧化钒纳米薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3)中对靶反应磁控溅射工艺条件为：抽本底真空度至(2-3)×10^-4Pa，工作气体为氧气和氩气，气流量比分别为49.2ml/min：0.8ml/min～48.8：1.2ml/min，溅射时的工作气压为1-2Pa，所用功率为200-220W，溅射时间为3-10分钟。

4.根据权利要求1所述的具有相变特性二氧化钒纳米薄膜的制备方法，其特征在于，步骤4)之后还包括在氧化钒薄膜两端溅射金属电极的步骤。